GD600HFX120C2SA,IGBT Модулі,STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C

@ Т C= 100o C

925

600

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1200

A

PD

Максималды қуаттылық ж =175o C

3000

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

600

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1200

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 мИН

4000

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

IC=600A,V ГЭ =15В, T ж =25o C

1.65

2.00

V

IC=600A,V ГЭ =15В, T ж =125o C

1.95

IC=600A,V ГЭ =15В, T ж =150o C

2.00

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=24.0mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған

Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В,

T ж =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

0.5

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В

60.8

нФ

Cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.84

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

4.64

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=600А, R G=1,2Ω,L Сек =20нГ, В ГЭ =±15В,Т ж =25o C

308

н

t r

Күтерілу уақыты

42

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

431

н

t f

Күз мезгілі

268

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

15.7

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

51.3

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=600А, R G=1,2Ω, LСек =20nH ,

V ГЭ =±15В,Т ж =125o C

311

н

t r

Күтерілу уақыты

49

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

467

н

t f

Күз мезгілі

351

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

31.1

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

69.4

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=600А, R G=1,2Ω, LСек =20nH ,

V ГЭ =±15В,Т ж =150o C

313

н

t r

Күтерілу уақыты

51

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

475

н

t f

Күз мезгілі

365

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

34.8

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

71.1

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

T ж =150o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

2400

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

IF =600A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.85

2.30

V

IF =600A,V ГЭ =0В,Т ж = 125o C

1.90

IF =600A,V ГЭ =0В,Т ж = 150o C

1.95

Qr

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =600А,

-di/dt=13040A/μs,V ГЭ =- 15В, T ж =25o C

38.1

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

524

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

34.9

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =600А,

-di/dt=11220A/μs,V GE=- 15В, T ж = 125o C

82.8

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

565

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

54.4

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =600А,

-di/dt=11040A/μs,V GE=- 15В, T ж = 150o C

94.7

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

589

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

55.8

мЖ

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі nce, Терминалдан Чипке

0.35

mΩ

R тЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.050

0.080

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.033

0.052

0.010

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g