GD225HFX170C6S,IGBT Модулі,STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C

@ Т C= 100o C

396

225

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p = 1 мс

450

A

PD

Максималды қуаттылық ж =175o C

1530

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1700

V

IF

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

225

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

450

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 мИН

4000

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

IC=225A,V ГЭ =15В, T ж =25o C

1.85

2.20

V

IC=225A,V ГЭ =15В, T ж =125o C

2.25

IC=225A,V ГЭ =15В, T ж =150o C

2.35

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=9.0mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған

Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В,

T ж =25o C

5.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

2.8

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

27.1

нФ

Cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

0.66

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

2.12

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=225A, R Қон =3,3Ω, R Гофф =6.2Ω, V ГЭ =±15В,

T ж =25o C

187

н

t r

Күтерілу уақыты

76

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

587

н

t f

Күз мезгілі

350

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

56.1

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

52.3

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=225A, R Қон =3,3Ω, R Гофф =6.2Ω, V ГЭ =±15В,

T ж = 125o C

200

н

t r

Күтерілу уақыты

85

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

693

н

t f

Күз мезгілі

662

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

75.9

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

80.9

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=225A, R Қон =3,3Ω, R Гофф =6.2Ω, V ГЭ =±15В,

T ж = 150o C

208

н

t r

Күтерілу уақыты

90

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

704

н

t f

Күз мезгілі

744

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

82.8

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

87.7

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

T ж =150o C,V CC = 1000В, V КЕМ ≤1700В

900

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

IF =225A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.80

2.25

V

IF =225A,V ГЭ =0В,Т ж = 125o C

1.90

IF =225A,V ГЭ =0В,Т ж = 150o C

1.95

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =25o C

63.0

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

352

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

37.4

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =125o C

107

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

394

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

71.0

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =150o C

121

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

385

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

82.8

мЖ

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

δR/R

Ауыспалы туралы R 100

T C= 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/501/Т 2—

1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/801/Т 2—

1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/1001/Т 2—

1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

1.10

mΩ

R тЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.098

0.158

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.029

0.047

0.009

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, Болт M5

3.0

3.0

6.0

6.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

350

g