Y60KFE, Симметриясыз Жылдам Өшіру Тиристор

Символ

Сипаттама

Сынақ шарттары

Tj( ℃)

Мәні

Бірлік

МИН

Түрі

Макс

IT(AV)

Орташа қосу күйіндегі ток

180°жартылай синусоидалық 50Гц Екі жақты салқындатылған

T _C=55℃

125

1600

A

VDRM

Қайталанатын шыңдық өшіру күйіндегі кернеу

tp=10ms

125

1200

2000

V

VRRM

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1000

1800

V

Ірррр

Қайталау шыңы ағым

vDRM және VRRM кезінде

125

120

mА

ITSM

Пик қосу күйіндегі ток

10ms жартылай синусоидалық толқын VR=0.6VRRM

125

18

kA

I2t

Фузия координациясы үшін I2t

1620

103A2s

VTO

Төменгі кернеу

125

1.27

V

rT

Қосу күйіндегі көлбеу кедергі

0.22

mΩ

VTM

Пик қосу күйіндегі кернеу

ITM=3000A, F=28kN

20≤q≤28

25

2.20

V

29≤q≤50

2.00

V

dv/dt

Өшіру күйіндегі кернеудің критикалық өсу жылдамдығы

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Қосулы күйдегі токтың критикалық өсу жылдамдығы (қайталанбайтын)

VDM= 67%VDRM,

Қақпақ импульсы tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

1500

А/μс

Qrr

Алу ақысы

ITM= 1000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V

125

750

μC

tq

Схема бойынша коммутирленген өшіру уақыты

ITM= 1000A,tp= 4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs,di/dt=-20A/μs

125

15

50

μs

IGT

Қақпа триггерлік тока

VA= 12V, IA= 1A

25

40

250

mА

Vgt

Қақпа триггерлік кернеу

0.9

2.5

V

IH

Ұстап тұратын ток

20

500

mА

IL

Латчинг ток

1000

mА

VGD

Триггерленбеген қақпа кернеуі

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа

180-де °синус, екі жақты салқындатылған бекіту күші 32 кН

0.016

℃ /W

Rth(c-h)

Жылу кедергісі корпусқа дейін радиатор

0.004

Fm

Орнату күші

27

34

kN

TVj

Байланыс температурасы

-40

125

℃

ТСТГ

Сақталған температура

-40

140

℃

Wt

Салмағы

640

g

Нысан

KT54cT