GD600HFX120C2SA,IGBT მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

Მე C

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C

@ ტ C= 100o C

925

600

A

Მე Სმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t p =1ms

1200

A

PD

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175o C

3000

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

Მე F

Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

600

A

Მე FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

1200

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შემადგენლითი ტემპერატურა Სიჩარე

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 წუთი

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

Მე C=600A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.65

2.00

V

Მე C=600A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

1.95

Მე C=600A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.00

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Მე C=24.0mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Მე CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი —Გათიშული

Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25o C

1.0

mA

Მე Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

0.5

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=100kHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

60.8

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

1.84

nF

Კ Გ

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =- 15…+15V

4.64

μC

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=600A, Რ Გ =1.2Ω,L Წმ =20nH, V Გენერალური საწარმოები =±15V,T ჯ =25o C

308

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

42

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

431

n

t f

Შემოდგომის დრო

268

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

15.7

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

51.3

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=600A, Რ Გ =1.2Ω, LᲬმ =20nH ,

V Გენერალური საწარმოები =±15V,T ჯ =125o C

311

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

49

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

467

n

t f

Შემოდგომის დრო

351

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

31.1

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

69.4

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=600A, Რ Გ =1.2Ω, LᲬმ =20nH ,

V Გენერალური საწარმოები =±15V,T ჯ =150o C

313

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

51

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

475

n

t f

Შემოდგომის დრო

365

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

34.8

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

71.1

mJ

Მე SC

Ს.კ. მონაცემები

t P≤ 10μs,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

Მე F =600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25o C

1.85

2.30

V

Მე F =600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 125o C

1.90

Მე F =600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 150o C

1.95

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=13040A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V, T ჯ =25o C

38.1

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

524

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

34.9

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=11220A/μs,V Გ E=- 15V, T ჯ = 125o C

82.8

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

565

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

54.4

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=11040A/μs,V Გ E=- 15V, T ჯ = 150o C

94.7

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

589

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

55.8

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

Რ CC+EE

Მოდული Lead Resista თმალალთ ნა ქპს

0.35

mΩ

Რ thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)

Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.050

0.080

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.033

0.052

0.010

Კვ/ვ

Წთ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

Გ

Წონა შემდეგი Მოდული

300

გ