GD900HFA120C6S,IGBT მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

Კოლექტორის დენი @ T C=90o C

900

A

IᲡმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

1800

A

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175o C

3409

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

IF

Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

900

A

IFM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

1800

A

IFSM

Წინგადაცემული დენი t პ =10ms @ T ჯ =25o C @ ტ ჯ =150o C

4100

3000

A

I2t

I2t-ღირებულება,t პ =10ms @ T ჯ =25o C

@ ტ ჯ =150o C

84000

45000

A2ს

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

IC=900A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.40

1.85

V

IC=900A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

1.60

IC=900A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =175o C

1.65

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC=24.0mA ,V CE =V GE , T ჯ =25o C

5.5

6.3

7.0

V

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული

Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V,

T ჯ =25o C

1.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

0.5

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

51.5

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

0.36

nF

Კითხვა G

Კარიბჭის გადასახადი

V GE =- 15…+15V

13.6

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=900A, Რ G=0.51Ω, L Ს =40nH, V GE =-8V/+15V,

T ჯ =25o C

330

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

140

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

842

n

t f

Შემოდგომის დრო

84

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

144

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

87.8

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=900A, Რ G=0.51Ω, L Ს =40nH, V GE =-8V/+15V,

T ჯ =125o C

373

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

155

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

915

n

t f

Შემოდგომის დრო

135

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

186

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

104

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=900A, Რ G=0.51Ω, L Ს =40nH, V GE =-8V/+15V,

T ჯ =175o C

390

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

172

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

950

n

t f

Შემოდგომის დრო

162

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

209

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

114

mJ

ISC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤8μs,V GE =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200 ვოლტი

3200

A

t Პ ≤6μs,V GE =15 ვოლტი,

T ჯ =175o C,V CC =800V, V CEM ≤1200 ვოლტი

3000

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

IF =900A,V GE =0V,T ჯ =25o C

1.55

2.00

V

IF =900A,V GE =0V,T ჯ =125o C

1.65

IF =900A,V GE =0V,T ჯ =175o C

1.55

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V, LᲡ =40nH ,T ჯ =25o C

91.0

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

441

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

26.3

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V GE =-8V, LᲡ =40nH ,T ჯ =125o C

141

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

493

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

42.5

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V GE =-8V, LᲡ =40nH ,T ჯ =175o C

174

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

536

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

52.4

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

Გადახრა შემდეგი Რ 100

T C=100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

Პ 25

Ძალა

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/501/T 2-

1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/801/T 2-

1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/1001/T 2-

1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.80

mΩ

Რ thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)

Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.044

0.076

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.028

0.049

0.009

Კვ/ვ

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

350

g