Ყველა კატეგორია

Წყლის გაგრილება

Წყლის გაგრილება

Მთავარი გვერდი /  Პროდუქტები /  Თირისტორი/დიოდის მოდული /  Თირისტორი/რექტიფიკატორის მოდულები  /  Წყლის გაგრილება

MTx400 MFx400 MT400,თირისტორი/დიოდის მოდულები,წყლის გაგრილება

400A,2600V~3600V,406F3

Brand:
TECHSEM
Spu:
MTx400 MFx400 MT400
Appurtenance:

Პრეპარატის ბროშურა:Გადმოწერეთ

  • Შესავალი
  • Კონტური
  • Ექვივალენტური სქემა
Შესავალი

Მოკლე შესავალი

Თირისტორი/ Დიოდის მოდული , MTx 400 MFx 400 MT 400400,Წყლის გაგრილება ნაოპაგთლ ნა TECHSEM.

VRRM,VDRM

Ტიპი და კონტური

2600 ვოლტი

2800 ვოლტი

3000V

3200 ვოლტი

3400 ვოლტი

3600 ვოლტი

3600 ვოლტი

MTx400-26-406F3

MT4 სათამაშოები

MT4 სათამაშოები

MT4 სათამაშოები

MT4 სათამაშოები

MT4 სათამაშოები

MT4 სათამაშოები

MFx400-26-406F3

MFx400-28-406F3

MFx400-30-406F3

MFx400-32-406F3

MFx400-34-406F3

MFx400-36-406F3

MTx ნიშნავს ნებისმიერი ტიპის MTC, MTA, MTK

MFx ნიშნავს ნებისმიერი ტიპის MFC, MFA, MFK

Მახასიათებლები

  • Იზოლირებული მონტაჟის ბაზა 3000V~
  • Წნევის კონტაქტის ტექნოლოგია
  • Გაზრდილი ენერგიის ციკლის შესაძლებლობა
  • Სივრცისა და წონის დაზოგვა

Ტიპიური გამოყენებები

  • Მუდმივი დენის მქონე ძრავები
  • Სხვადასხვა რექტიფიკატორები
  • PWM ინვერტისთვის დისტანციური დენის მიწოდება

Სიმბოლო

Მახასიათებლები

Გამოცდის პირობები

Tj( °C )

Ღირებულება

Ერთეული

Მნ

Ტიპი

Მაქს

IT(AV)

Საშუალო ჩართული მიმდინარე

180° ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz

Ერთპიროვნული გაგრილება, THS=55 °C

125

400

IT(RMS)

RMS აქტიური მიმდინარე

628

Ირმ ირმ

Განმეორებითი პიკური დენი

vDRM-ზე VRRM-ზე

125

50

mA

ITSM

Სერჟი ჩართული მიმდინარე

VR=60%VRRM,t=10ms ნახევარი სინოსი,

125

10.5

kA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

125

551

1032s

VTO

Საფეხური ძაბვა

125

0.85

V

რტ

Ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

0.90

VTM

Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM=1200A

25

2.85

V

dv/dt

Გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μS

di/dt

Ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

Გეითის წყარო 1.5A

tr ≤0.5μs განმეორებითი

125

200

A/μS

IGT

Კარის ტრიგერის მიმდინარე

VA=12V, IA=1A

25

30

200

mA

Vgt

Კარების ტრიგერის ძაბვა

0.8

3.0

V

IH

Შენარჩუნების მიმდინარე

10

200

mA

IL

Ჩაკეტვის მიმდინარე

1000

mA

VGD

Არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.100

°C /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.040

°C /W

VISO

Იზოლაციის ძაბვა

50Hz,R.M.S,t=1წთ,Iiso:1mA(მაქსიმუმ)

4000

V

FM

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი ((M12)

12

14

N·მ

Მონტაჟის ტორქე(M6)

4.5

6

N·მ

Tvj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

125

°C

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

125

°C

Wt

Წონა

1580

g

Კონტური

406F3

Კონტური

Ექვივალენტური სქემა

Იღეთ უფასო ციფრი

Ჩვენი წარმომადგენელი სწრაფად თქვენთან დაგერთვება.
Email
Სახელი
Კომპანიის სახელი
Მესიჯი
0/1000

Დაკავშირებული პროდუქტი

Პროდუქტებთან დაკავშირებით კითხვები გაქვთ?

Ნაჟ პჲფეჲნალთკ ნა ოჲეჲბპარა ჟლვეა ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
Თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.

Შეადგინეთ ციფრი

Იღეთ უფასო ციფრი

Ჩვენი წარმომადგენელი სწრაფად თქვენთან დაგერთვება.
Email
Სახელი
Კომპანიის სახელი
Მესიჯი
0/1000