YMIBH250-33, IGBT მოდული, ნახalf მостის IGBT, CRRC

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Ღირებულება

Ერთეული

VCES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

VGE = 0V, TC= 25 °C

3300

V

VGES

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

TC= 25 °C

± 20

V

IC

Კოლექტორ-გამომცემის დენი

TC = 100 °C

250

Ა

IC ((PK)

Პიკის კოლექტორის მიმდინარე

tp=1ms

500

Ა

Pmax

Მაქსიმალური ტრანზიტორის ენერგიის გაფანტვა

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

2.6

კვ

I2t

Დიოდი I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

20

kA2s

Visol

Იზოლაციის ძაბვა - ერთ მოდულზე

(საერთო ტერმინალები ბაზის პლატასთან), AC RMS,1 წუთი, 50Hz, TC= 25 °C

6

kV

QPD

Ნაწილობრივი გამონადენი - ერთ მოდულზე

IEC1287. V1=6900V,V2=5100V,50ჰერცტიანი RMS

10

pC

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

ICES

Კოლექტორის გამორთული დენი

VGE = 0V,VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

15

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

25

mA

IGES

Ღობეების გაჟონვის დენი

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

Ღობეების ზღვრული ძაბვა

IC = 20mA, VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

V

VCE (sat) ((*1)

Კოლექტორ-გამომცემის სიმკვრივე ვოლტი

VGE = 15V, IC = 250A

2.50

2.80

V

VGE = 15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.15

3.45

V

VGE = 15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.30

3.60

V

IF

Დიოდური წინასწარი დენი

DC

250

Ა

IFRM

Დიოდის პიკის წინასწარი დენი

tP = 1ms

500

Ა

VF(*1)

Დიოდის წინამავალი ძაბვა

IF = 250A, VGE = 0

2.10

2.40

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.25

2.55

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.25

2.55

V

ISC

Კოროტკი წრის ძრავი

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE ((max) = VCES L ((*2) ×di/dt, IEC 6074-9

900

Ა

ICES

Კოლექტორის გამორთული დენი

VGE = 0V,VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

15

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

25

mA

IGES

Ღობეების გაჟონვის დენი

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

Ღობეების ზღვრული ძაბვა

IC = 20mA, VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

V

VCE (sat) ((*1)

Კოლექტორ-გამომცემის სიმკვრივე

ვოლტი

VGE = 15V, IC = 250A

2.50

2.80

V

VGE = 15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.15

3.45

V

VGE = 15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.30

3.60

V

IF

Დიოდური წინასწარი დენი

DC

250

Ა

IFRM

Დიოდის პიკის წინასწარი დენი

tP = 1ms

500

Ა

VF(*1)

Დიოდის წინამავალი ძაბვა

IF = 250A, VGE = 0

2.10

2.40

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.25

2.55

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.25

2.55

V

ISC

Კოროტკი წრის ძრავი

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE ((max) = VCES L ((*2) ×di/dt, IEC 6074-9

900

Ა

t d(off)

Გამორთვის დაგვიანების დრო

I C =250A,

V CE = 1800 ვოლტი, V Გენერალური საწარმოები = ± 15V, R G ((OFF) = 9.0Ω , C Გენერალური საწარმოები = 56nF,

L S = 150nH,

T vj = 25 °C

1480

n

T vj = 125 °C

1550

T vj = 150 °C

1570

t f

Შემოდგომის დრო

T vj = 25 °C

1280

n

T vj = 125 °C

1920

T vj = 150 °C

2120

E Გათიშული

Გამორთვის ენერგიის დანაკარგი

T vj = 25 °C

300

mJ

T vj = 125 °C

380

T vj = 150 °C

400

t d(on)

Ჩართვის შეფერხების დრო

I C =250A,

V CE = 1800 ვოლტი, V Გენერალური საწარმოები = ± 15V, R G ((ON) = 6.0Ω , C Გენერალური საწარმოები = 56nF,

L S = 150nH,

T vj = 25 °C

640

n

T vj = 125 °C

650

T vj = 150 °C

650

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

T vj = 25 °C

220

n

T vj = 125 °C

235

T vj = 150 °C

238

E Ჩართული

Ჩართვის ენერგია დანარჩენი

T vj = 25 °C

395

mJ

T vj = 125 °C

510

T vj = 150 °C

565

Q rr

Დიოდი უკან

აღდგენის გადასახადი

I F =250A,

V CE = 1800 ვოლტი,

- ჟ i F /dt = 1200A/US, (T vj = 125 °C).

T vj = 25 °C

190

μC

T vj = 125 °C

295

T vj = 150 °C

335

I rr

Დიოდი უკან

აღდგენის დენი

T vj = 25 °C

185

Ა

T vj = 125 °C

210

T vj = 150 °C

216

E რეკ

Დიოდი უკან

აღდგენის ენერგია

T vj = 25 °C

223

mJ

T vj = 125 °C

360

T vj = 150 °C

410