GD200HFQ120C2SD, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

Კოლექტორის დენი @ T C =25 o C @ T C =100 o C

324

200

Ა

I CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

400

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =175 o C

1181

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

I F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

200

Ა

I FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

400

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 o C

1.85

2.30

V

I C =200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125 o C

2.25

I C =200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150 o C

2.35

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

I C =8.00 mA ,V CE = V Გენერალური საწარმოები , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული Დიდება

V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება

V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

3.8

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

21.6

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.59

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

1.68

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, R G =4.7Ω, L S =45 nH , V Გენერალური საწარმოები =±15V,T vj =25 o C

100

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

72

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

303

n

t f

Შემოდგომის დრო

71

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

26.0

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

6.11

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, R G =4.7Ω, L S =45 nH , V Გენერალური საწარმოები =±15V,T vj =125 o C

99

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

76

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

325

n

t f

Შემოდგომის დრო

130

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

33.5

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

8.58

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, R G =4.7Ω, L S =45 nH , V Გენერალური საწარმოები =±15V,T vj =150 o C

98

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

80

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

345

n

t f

Შემოდგომის დრო

121

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

36.2

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

9.05

mJ

I SC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

750

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

I F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V

I F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =125 o C

1.90

I F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =150 o C

1.95

Q r

Აღდგენილი Დავალება

V R =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=1890A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15V, L S =45 nH ,T vj =25 o C

19.4

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

96

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

5.66

mJ

Q r

Აღდგენილი Დავალება

V R =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=1680A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15V, L S =45 nH ,T vj =125 o C

29.5

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

106

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

8.56

mJ

Q r

Აღდგენილი Დავალება

V R =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=1600A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15V, L S =45 nH ,T vj =150 o C

32.2

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

107

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

9.24

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

L CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

R CC+EE

Მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.35

mΩ

R thJC

Გადასასვლელი -რომ -Შემთხვევა (perIGBT ) Კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.127 0.163

Კვ/ვ

R thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.036 0.046 0.010

Კვ/ვ

M

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

G

Წონა of Მოდული

300

g