GD200HFQ120C2SD, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C @ T C=100o C

324

200

A

IᲡმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

400

A

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =175o C

1181

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

IF

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

200

A

IFM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

400

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

IC=200A,V GE =15 ვოლტი, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC=200A,V GE =15 ვოლტი, T vj =125o C

2.25

IC=200A,V GE =15 ვოლტი, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC=8.00mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

3.8

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

21.6

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.59

nF

Კითხვა G

Კარიბჭის გადასახადი

V GE =-15...+15 ვოლტი

1.68

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=200A, Რ G=4.7Ω, LᲡ =45nH , V GE =±15V,T vj =25o C

100

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

72

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

303

n

t f

Შემოდგომის დრო

71

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

26.0

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

6.11

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=200A, Რ G=4.7Ω, LᲡ =45nH , V GE =±15V,T vj =125o C

99

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

76

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

325

n

t f

Შემოდგომის დრო

130

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

33.5

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

8.58

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=200A, Რ G=4.7Ω, LᲡ =45nH , V GE =±15V,T vj =150o C

98

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

80

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

345

n

t f

Შემოდგომის დრო

121

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

36.2

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

9.05

mJ

ISC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs, V GE =15 ვოლტი,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

750

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

IF =200A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =200A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =200A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Კითხვა რ

Აღდგენილი Დავალება

V Რ =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=1890A/μs,V GE =-15V, LᲡ =45nH ,T vj =25o C

19.4

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

96

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

5.66

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი Დავალება

V Რ =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=1680A/μs,V GE =-15V, LᲡ =45nH ,T vj =125o C

29.5

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

106

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

8.56

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი Დავალება

V Რ =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=1600A/μs,V GE =-15V, LᲡ =45nH ,T vj =150o C

32.2

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

107

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

9.24

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.35

mΩ

Რ thJC

Გადასასვლელი --დან -Შემთხვევა (perIGBT ) Კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.127 0.163

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.036 0.046 0.010

Კვ/ვ

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

300

g