GD100HFQ120C1SD, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

Ის C

Კოლექტორის დენი @ T C =25o C @ T C =100o C

162

100

Ა

Ის CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t p =1ms

200

Ა

P D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =175o C

595

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

Ის F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

100

Ა

Ის FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

200

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

Ის C =100A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25o C

1.85

2.30

V

Ის C =100A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125o C

2.25

Ის C =100A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150o C

2.35

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Ის C =4.0mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Ის CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25o C

1.0

mA

Ის Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

7.5

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

10.8

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.30

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15 ...+15V

0.84

μC

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =100A, Რ G =5.1Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, Ლ Ს =45nH ,T vj =25o C

59

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

38

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

209

n

t f

Შემოდგომის დრო

71

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

11.2

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

3.15

mJ

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =100A, Რ G =5.1Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, Ლ Ს =45nH ,T vj =125o C

68

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

44

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

243

n

t f

Შემოდგომის დრო

104

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

14.5

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

4.36

mJ

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =100A, Რ G =5.1Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, Ლ Ს =45nH ,T vj =150o C

71

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

46

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

251

n

t f

Შემოდგომის დრო

105

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

15.9

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

4.63

mJ

Ის SC

Ს.კ. მონაცემები

t P ≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

400

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

Ის F =100A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

Ის F =100A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =125o C

1.90

Ის F =100A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =150o C

1.95

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =100A,

-di/dt=961A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი Ლ Ს =45nH ,T vj =25o C

7.92

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

46.4

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

2.25

mJ

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =100A,

-di/dt=871A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი Ლ Ს =45nH ,T vj =125o C

15.0

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

54.5

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

5.08

mJ

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =100A,

-di/dt=853A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი Ლ Ს =45nH ,T vj =150o C

18.8

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

58.9

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

6.67

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Ლ CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

30

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

0.75

mΩ

Რ thJC

Გადასასვლელი -და -Შემთხვევა (perIGBT ) Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.252 0.446

Კვ/ვ

Რ thCH

Შემთხვევა -და -Თბილსასუფთავე (perIGBT )Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.157 0.277 0.050

Კვ/ვ

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M5 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

150

g