GD400SGU120C2S,IGBT მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

VCES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

VGES

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

Კოლექტორის დენი @ TC=25oC

@ TC=70oC

549

400

A

ICM

Პულსირებული კოლექტორის დენი tp=1ms

800

A

PD

Მაქსიმალური ენერგიის გაფანტვა @ T =150oC

2659

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

VRRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

IF

Დიოდის მუდმივი წინამავალი დენი

400

A

Თუმ

Დიოდის მაქსიმალური წინ მიმდინარე tp=1ms

800

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

Tjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

150

oC

Ტჟოპ

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +125-მდე

oC

TSTG

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

oC

VISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

IC=400A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

2.90

3.35

V

IC=400A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

3.60

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC= 16.0mA,V CE =V GE , ტ ჯ =25o C

4.5

5.5

6.5

V

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული

Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V,

T ჯ =25o C

5.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

0.6

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

26.0

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

1.70

nF

Კითხვა G

Კარიბჭის გადასახადი

V GE =- 15…+15V

4.2

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=400A, Რ G=2.2Ω,

V GE =±15 ვოლტი, T ჯ =25o C

76

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

57

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

529

n

t f

Შემოდგომის დრო

73

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

5.2

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

23.2

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=400A, Რ G=2.2Ω,

V GE =±15 ვოლტი, T ჯ = 125o C

81

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

62

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

567

n

t f

Შემოდგომის დრო

81

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

9.9

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

31.7

mJ

ISC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs,V GE =15 ვოლტი,

T ჯ =125o C,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

2800

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

IF =400A,V GE =0V,T ჯ =25o C

1.96

2.31

V

IF =400A,V GE =0V,T ჯ = 125o C

1.98

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T ჯ =25o C

24.9

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

317

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

16.0

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T ჯ = 125o C

35.5

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

391

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

21.4

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

Რ CC+EE

Მოდული Lead Resista თმალალთ ნა ქპს

0.18

mΩ

Რ thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)

Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.047

0.100

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.015

0.031

0.010

Კვ/ვ

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

300

g