GD100HCX170C6SA ,IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

Კოლექტორის დენი @ T C =25 o C @ T C =100 o C

196

100

Ა

I CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

200

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =175 o C

815

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1700

V

I F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

100

Ა

I FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

200

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =100A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 o C

1.85

2.20

V

I C =100A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125 o C

2.25

I C =100A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150 o C

2.35

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

I C =4.00 mA ,V CE = V Გენერალური საწარმოები , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული Დიდება

V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება

V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

7.5

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

12.0

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.29

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15 ...+15V

0.94

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =100A, R G =1.0Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, LS =52 nH ,T vj =25 o C

196

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

44

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

298

n

t f

Შემოდგომის დრო

367

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

26.4

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

14.7

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =100A, R G =1.0Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, LS =52 nH ,T vj =125 o C

217

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

53

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

361

n

t f

Შემოდგომის დრო

516

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

36.0

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

21.0

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =100A, R G =1.0Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, LS =52 nH ,T vj =150 o C

223

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

56

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

374

n

t f

Შემოდგომის დრო

551

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

39.1

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

22.4

mJ

I SC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =150 o C,V CC =1000 ვოლტი,

V CEM ≤1700V

400

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

L CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

R CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

1.10

mΩ

R thJC

Გადასასვლელი -რომ -Შემთხვევა (perIGBT ) Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.184 0.274

Კვ/ვ

R thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.060 0.090 0.009

Კვ/ვ

M

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m

G

Წონა of Მოდული

350

g