GD100HCX170C6SA ,IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C @ T C=100o C

196

100

A

IᲡმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

200

A

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =175o C

815

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1700

V

IF

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

100

A

IFM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

200

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

IC=100A,V GE =15 ვოლტი, T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC=100A,V GE =15 ვოლტი, T vj =125o C

2.25

IC=100A,V GE =15 ვოლტი, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC=4.00mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

7.5

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

12.0

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.29

nF

Კითხვა G

Კარიბჭის გადასახადი

V GE =-15 ...+15V

0.94

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=100A, Რ G=1.0Ω,V GE =±15 ვოლტი, LS =52nH ,T vj =25o C

196

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

44

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

298

n

t f

Შემოდგომის დრო

367

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

26.4

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

14.7

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=100A, Რ G=1.0Ω,V GE =±15 ვოლტი, LS =52nH ,T vj =125o C

217

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

53

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

361

n

t f

Შემოდგომის დრო

516

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

36.0

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

21.0

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=100A, Რ G=1.0Ω,V GE =±15 ვოლტი, LS =52nH ,T vj =150o C

223

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

56

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

374

n

t f

Შემოდგომის დრო

551

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

39.1

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

22.4

mJ

ISC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs, V GE =15 ვოლტი,

T vj =150o C,V CC =1000 ვოლტი,

V CEM ≤1700V

400

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

1.10

mΩ

Რ thJC

Გადასასვლელი --დან -Შემთხვევა (perIGBT ) Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.184 0.274

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.060 0.090 0.009

Კვ/ვ

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

350

g