Y50ZYD, რბილი აღდგენის დიოდი

I _T(AV)

1500A

V _RRM

1800V 2000V

2200V 2500V

Სიმბოლო

Მახასიათებლები

Გამოცდის პირობები

Tj( °C )

Ღირებულება

Ერთეული

Მნ

Ტიპი

Მაქს

IF(AV)

Საშუალო წინასწარი დენი

180° ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz ორმხრივი გაგრილება,

Tsink=55 °C

125

1500

Ა

IRRM

Განმეორებითი პიკური დენი

vRRM-ზე

125

85

mA

IFSM

Სალტო წინასწარი დენი

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0.6VRRM

125

19.6

kA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

1920.8

A2s*103

VFO

Საფეხური ძაბვა

125

1.16

V

rF

Წინასწარი დახრის წინააღმდეგობა

0.29

მΩ

VFM

Პიკური წინასწარი ძაბვა

@IFM=1500A,

F=24kN

25

1.76

V

@IFM=3000A,

125

2.03

VFRM

Მაქსიმალური წინასწარი აღდგენის ძაბვა

di/dt=1000A/µs

125

45

V

25

28

V

IRM

Უკუღმართი აღდგენის მიმდინარე

IFM=1000A,tp=4000µs, -di/dt=60A/µs, VR=50V

125

144

Ა

trr

Უკუღმართი აღდგენის დრო

4.5

µs

Კრრ

Აღდგენის გადასახადი

650

µC

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

180-ზე 。სინუსური, ორმხრივად გაგრილებული კლამპირების ძალა 24kN

0.021

°C /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამათბობელზე

0.005

FM

Მონტაჟის ძალა

19

26

kN

Ტჟოპ

Მუშაობის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40

125

°C

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

150

°C

Wt

Წონა

440

g

Კონტური

ZT50cT