Დიოდის მოდული, YMDBD1200-45, TFM1200XDM45-D200

სიმბოლო

Სიმბოლო

参数名称

Პარამეტრი

ტესტ-თეორიები

Გამოცდის პირობები

რიცხვური მნიშვნელობა

Ღირებულება

单位

Ერთეული

V RRM

重复 პიკ-ვოლუ ელექტროტენერგია

Გამეორებითი ძაბვა

T C = 25 °C

4500

V

Ის F

პირდაპირი ელექტრო ნაკადი

Წინასწარი დენი

DC

1200

Ა

Ის FRM

正向重复 პიკ-ვოლუ ელექტრო ნაკადი

Პიკ-წინ დენი

t P = 1ms

2400

Ა

Ის FSM

浪涌电流

Სიძლიერის დენი

V Რ =0V, t P = 10 მს T vj = 25 °C

Ტუბერკულოზური დაავადება

Ა

Ის 2t

Ის 2t 值

Ის 2t

V Რ =0V, t P = 10 მს T vj = 25 °C

530

kA2ს

V isol

იზოლაციის ძაბვა (模块 )

Იზოლაცია ვოლტი - მდე მოდული

ოლქსჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკ (საერთო ტერმინალები ბაზა პლატა), Აც RMS1 მინიმუმ 50 ჰერცტი, T C = 25 °C

10200

V

Q PD

局部放电电荷 ოლაკტერიკოსი (模块 )

Ნაწილობრივი განთავისუფლება - მდე მოდული

IEC1287. V 1= 6900V, V 2= 5100 ვოლტი, 50Hz

RMS ,T C = 25 °C

10

pC

სიმბოლო

Სიმბოლო

参数名称

Პარამეტრი

პარამეტრები

Გამოცდის პირობები

მინიმალური მნიშვნელობა Მინ.

典型值 Თპ.

მაქსიმალური მნიშვნელობა

Მაქსიმალური

单位

Ერთეული

Ის RRM

重复 საპირისპირო ელექტრო ნაკადი

Განმეორებადი უკან

მიმდინარე

V RM = V RRM

1

mA

V RM = V RRM , T C =125 °C

50

mA

V F

მართვითი ელექტროტენერგია

Წინამავალი ძაბვა

Ის F = 1200A

2.70

V

Ის F = 1200A, T vj = 125 °C

3.10

V

Q rr

უკუმიმართული აღდგენის ელექტროტვირთვა

Უკან აღდგენა

დავალება

V CC = 2800 ვოლტი, Ის F =1200A, - ჟ ის F /dt = 3800A/μs,

Რ G ((ON) =1.5Ω ,

C Გენერალური საწარმოები = 220nF,

Ლ Ს =150nH,

(T vj = 125 °C).

IGBT:

TIM1200ASM45-PSA011

T vj = 25 °C

1220

μC

T vj = 125 °C

1750

μC

Ის rr

უკუმიმართული აღდგენის დენი

Უკან აღდგენა

მიმდინარე

T vj = 25 °C

1320

Ა

T vj = 125 °C

1420

Ა

Ე რეკ

უკურეაბილიტაციის დანაკარგი

Უკან აღდგენა

ენერგია

T vj = 25 °C

2.60

Ჯ

T vj = 125 °C

3.90

Ჯ