GD900SGF120A3SN,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C @ T C=100o C

1466

900

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

1800

A

PD

最大電源 消耗 @ T vj =175o C

5.34

kW

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

IF

ダイオード 連続前向きCu rrent

900

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

1800

A

シンボル

説明

価値

単位

T vjmax

交差点最大温度

175

o C

T バイト

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t= 1分前

4000

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

IC=900A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25o C

2.00

2.45

V

IC=900A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125o C

2.50

IC=900A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150o C

2.65

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=32.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T vj =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

収集家 切断 —オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25o C

1.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

1.44

ω

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=900A, バー ゲン =1Ω、 バー ゲッフ =2Ω Ls=50nH、

V 遺伝子組み換え ＝－10／＋15V, T vj =25o C

520

nS

t バー

昇る時間

127

nS

t 消して

切断する 遅延時間

493

nS

t f

秋の時間

72

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

76.0

mJ

Eオフ

切断する 損失

85.0

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=900A, バー ゲン =1Ω、 バー ゲッフ =2Ω Ls=50nH、

V 遺伝子組み換え ＝－10／＋15V, T vj =125o C

580

nS

t バー

昇る時間

168

nS

t 消して

切断する 遅延時間

644

nS

t f

秋の時間

89

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

127

mJ

Eオフ

切断する 損失

98.5

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=900A, バー ゲン =1Ω、 バー ゲッフ =2Ω Ls=50nH、

V 遺伝子組み換え ＝－10／＋15V, T vj =150o C

629

nS

t バー

昇る時間

176

nS

t 消して

切断する 遅延時間

676

nS

t f

秋の時間

96

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

134

mJ

Eオフ

切断する 損失

99.0

mJ

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き 電圧

IF =900A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25o C

1.95

2.40

V

IF =900A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125o C

2.00

IF =900A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150o C

2.05

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =900A,

-di/dt=7100A/μs、Ls=50nH、 V 遺伝子組み換え ＝－10V,

T vj =25o C

80

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

486

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

35.0

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =900A,

-di/dt=5180A/μs、Ls=50nH、 V 遺伝子組み換え ＝－10V,

T vj =125o C

153

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

510

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

64.0

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =900A,

-di/dt=4990A/μs、Ls=50nH、 V 遺伝子組み換え ＝－10V,

T vj =150o C

158

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

513

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

74.0

mJ

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

12

nH

バー CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

0.19

mΩ

バー thJC

接合 —～ —事例 (perIGBT ) ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

28.1 44.1

電力量

バー thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

9.82 15.4 6.0

電力量

分

端末接続トーク スクロールM4 端末接続トーク スクロール M8 固定トーク 六角ボルトM6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M<br>

G

重量 の モジュール

1050

g