簡単な紹介
溶接スリスタモジュール ,M TC26 ，26A, 空気冷却 ,tECHSEMによって生産されています.
VDRM,VRRM |
タイプとアウトライン |
|
600V 800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V |
MTC26-06-224H3/224H3B MTC26-08-224H3/224H3B MTC26-10-224H3/224H3B MTC26-12-224H3/224H3B MTC26-14-224H3/224H3B MTC26-16-224H3/224H3B MTC26-18-224H3/224H3B |
特徴 ：
典型的な用途 ：
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シンボル |
特徴 |
試験条件 |
Tj( °C ) |
価値 |
ユニット |
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ほんの少し |
タイプ |
マックス |
|||||
IT(AV) |
平均オン状態電流 |
180違う 半正弦波 50Hz 片側冷却、Tc =85 °C |
125 |
|
|
26 |
A |
IT(RMS) |
RMSオン状態電流 |
125 |
|
|
41 |
A |
|
Idrm Irrm |
繰り返しピーク電流 |
vDRMおよびVRRMで |
125 |
|
|
15 |
mA |
ITSM |
サージオン状態電流 |
10ms半正弦波 VR=60%VRRM |
125 |
|
|
1.6 |
kA |
ポイント |
融解調整のためのI2t |
|
|
12.8 |
103A 2s |
||
VTO |
限界電圧 |
|
125 |
|
|
0.75 |
V |
ロープ |
オン状態スロープ抵抗 |
|
|
7.68 |
mΩ |
||
VTM |
ピークオン状態電圧 |
ITM=80A |
25 |
|
|
1.55 |
V |
dv/dt |
オフステート電圧の急激な上昇率 |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
オン状態の電流の上昇の臨界速度 |
ゲートソース 1.5A tr ≤0.5μs 繰り返し |
125 |
|
|
200 |
A/μs |
IGT |
ゲートトリガ電流 |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
30 |
|
200 |
mA |
Vgt |
ゲートトリガ電圧 |
0.6 |
|
2.5 |
V |
||
IH |
ホールディング電流 |
10 |
|
250 |
mA |
||
ラング |
ラッチ電流 |
|
|
1000 |
mA |
||
VGD |
非トリガゲート電圧 |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.2 |
V |
Rth(j-c) |
ジャンクションからケースへの熱抵抗 |
チップごとに片側冷却 |
|
|
|
0.90 |
°C /W |
Rth(c-h) |
ケースからヒートシンクまでの熱抵抗 |
チップごとに片側冷却 |
|
|
|
0.15 |
°C /W |
ヴィソ |
絶縁電圧 |
50Hz,R.M.S,t= 1分,Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V |
|
Fm |
熱接続トルク（M5） |
|
|
2.5 |
|
4.0 |
N·m |
取り付けトルク(M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·m |
|
Tvj |
接合温度 |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
ターゲット・ストーブ |
保存温度 |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
ワット |
重量 |
|
|
|
100 |
|
g |
概要 |
224H3 、224H3B |
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