GD900SGX120C2SA_B20,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C

@ T C= 100o C

1410

900

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

1800

A

PD

最大電源 消耗 @ T =175o C

5000

W

シンボル

説明

価値

単位

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 分

4000

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

IC=900A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

1.80

2.25

V

IC=900A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125o C

2.10

IC=900A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150o C

2.15

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 圧力は

IC=22.5mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

収集家 切断 —オフ

現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25o C

5.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

0.6

ω

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =- 15V+15V

7.40

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=900A,

バー ゲン = 1.5Ω,R ゲッフ =0.9Ω, V 遺伝子組み換え =±15V,T j =25o C

257

nS

t バー

昇る時間

96

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

628

nS

t f

秋の時間

103

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

43

mJ

Eオフ

切断する

損失

82

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=900A,

バー ゲン = 1.5Ω,R ゲッフ =0.9Ω,

V 遺伝子組み換え =±15V,T j = 125o C

268

nS

t バー

昇る時間

107

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

659

nS

t f

秋の時間

144

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

59

mJ

Eオフ

切断する

損失

118

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=900A,

バー ゲン = 1.5Ω,R ゲッフ =0.9Ω,

V 遺伝子組み換え =±15V,T j = 150o C

278

nS

t バー

昇る時間

118

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

680

nS

t f

秋の時間

155

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

64

mJ

Eオフ

切断する

損失

134

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150o C,V CC =800V

V 単数 ≤1200V

3600

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き

圧力は

IF =900A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

1.71

2.16

V

IF =900A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125o C

1.74

IF =900A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150o C

1.75

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =25o C

76

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

513

A

Eレス

逆転回復 エネルギー

38.0

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j = 125o C

143

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

684

A

Eレス

逆転回復 エネルギー

71.3

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j = 150o C

171

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

713

A

Eレス

逆転回復 エネルギー

80.8

mJ

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

20

nH

バー CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

0.18

mΩ

バー thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

交差点 (Dあたり) ヨード)

0.030

0.052

総量

バー thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード）

ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.016

0.027

0.010

総量

M

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

300

g