GD400SGX170C2S,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1700

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C

@ T C= 100o C

648

400

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

800

A

PD

最大電力損失 T =175o C

2380

W

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1700

V

IF

ダイオード 連続前向き 賃貸

400

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

800

A

シンボル

説明

価値

単位

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 分

4000

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

IC=400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125o C

2.25

IC=400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150o C

2.35

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC= 16.0mA,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

収集家 切断 —オフ

現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25o C

5.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

1.88

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで

V 遺伝子組み換え =0V

48.2

ロープ

Cres

逆転移転

容量

1.17

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =- 15V+15V

3.77

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C=400A, バー G=0.82Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =25o C

204

nS

t バー

昇る時間

38

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

425

nS

t f

秋の時間

113

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

97.9

mJ

Eオフ

切断する

損失

84.0

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C=400A, バー G=0.82Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =125o C

208

nS

t バー

昇る時間

50

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

528

nS

t f

秋の時間

184

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

141

mJ

Eオフ

切断する

損失

132

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C=400A, バー G=0.82Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =150o C

216

nS

t バー

昇る時間

50

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

544

nS

t f

秋の時間

204

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

161

mJ

Eオフ

切断する

損失

137

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150o C,V CC = 100V, V 単数 ≤1700V

1600

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き

電圧

IF =400A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =400A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =125o C

1.90

IF =400A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =150o C

1.95

Qバー

回収された電荷

V バー =900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =25o C

116

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

666

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

63.8

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =125o C

187

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

662

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

114

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =150o C

209

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

640

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

132

mJ

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

15

nH

バー CC+EE

モジュールリードレジスタ ターミナルからチップへ

0.18

mΩ

バー thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.063

0.105

総量

バー thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード）

ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.016

0.027

0.010

総量

分

端末接続トーク スクロールM4 端子接続 トルク、 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

300

g