GD400SGU120C2SD、IGBTモジュール、STARPOWER

シンボル

説明

価値

ユニット

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 o C @ T C =65 o C

542

400

A

わかった Cm

パルスコレクター電流 t p =1ms

800

A

P D

最大電源 消耗 @ T vj =150 について o C

2840

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

400

A

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

800

A

シンボル

説明

価値

ユニット

T vjmax

交差点最大温度

150

o C

T バイト

交差点の動作温度

-40から+125

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

2500

V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 o C

3.10

3.55

V

わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125 について o C

3.95

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =16 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T vj =25 o C

4.9

5.9

6.9

V

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25 o C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25 o C

400

nA

R ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

0.63

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V

27.0

ロープ

C res

逆転移転 容量

1.64

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15V…+15V

4.32

微分

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =400A, R G =2.2Ω, V 遺伝子組み換え =±15V LS =50 nH ,T vj =25 o C

275

nS

t r

昇る時間

68

nS

t 消して

切断する 遅延時間

455

nS

t f

秋の時間

45

nS

E on

オン スイッチング 損失

26.0

mJ

E オフ

切断する 損失

16.2

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =400A, R G =2.2Ω, V 遺伝子組み換え =±15V LS =50 nH ,T vj =125 について o C

281

nS

t r

昇る時間

69

nS

t 消して

切断する 遅延時間

495

nS

t f

秋の時間

57

nS

E on

オン スイッチング 損失

32.9

mJ

E オフ

切断する 損失

19.9

mJ

わかった SC

SC データ

t P ≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T vj =125 について o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V

2700

A

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =400A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V

わかった F =400A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125 について o C

1.90

Q r

回収された電荷

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=5666A/μs,V 遺伝子組み換え =15V LS =50 nH ,T vj =25 o C

42.0

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

329

A

E レス

逆転回復 エネルギー

16.2

mJ

Q r

回収された電荷

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=5534A/μs,V 遺伝子組み換え =15V LS =50 nH ,T vj =125 について o C

71.9

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

382

A

E レス

逆転回復 エネルギー

30.0

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

20

nH

R CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

0.35

mΩ

R thJC

接合 -〜に至るまで -事例 (perIGBT ) ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.044 0.107

総量

R thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.014 0.034 0.010

総量

M

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

300

g