GD400SGU120C2SD、IGBTモジュール、STARPOWER

シンボル

説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C@ T C=65o C

542

400

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

800

A

PD

最大電源 消耗 @ T vj =150o C

2840

W

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

IF

ダイオード 連続前向きCu rrent

400

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

800

A

シンボル

説明

価値

単位

T vjmax

交差点最大温度

150

o C

T バイト

交差点の動作温度

-40から+125

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

2500

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

IC=400A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25o C

3.10

3.55

V

IC=400A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125o C

3.95

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 圧力は

IC=16mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T vj =25o C

4.9

5.9

6.9

V

ICES

収集家 切断 —オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25o C

5.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

0.63

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V

27.0

ロープ

Cres

逆転移転 容量

1.64

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15V…+15V

4.32

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=400A, バー G=2.2Ω, V 遺伝子組み換え =±15V LS =50nH ,T vj =25o C

275

nS

t バー

昇る時間

68

nS

t 消して

切断する 遅延時間

455

nS

t f

秋の時間

45

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

26.0

mJ

Eオフ

切断する 損失

16.2

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=400A, バー G=2.2Ω, V 遺伝子組み換え =±15V LS =50nH ,T vj =125o C

281

nS

t バー

昇る時間

69

nS

t 消して

切断する 遅延時間

495

nS

t f

秋の時間

57

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

32.9

mJ

Eオフ

切断する 損失

19.9

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T vj =125o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V

2700

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き 圧力は

IF =400A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =400A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125o C

1.90

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =400A,

-di/dt=5666A/μs,V 遺伝子組み換え =15V LS =50nH ,T vj =25o C

42.0

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

329

A

Eレス

逆転回復 エネルギー

16.2

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =400A,

-di/dt=5534A/μs,V 遺伝子組み換え =15V LS =50nH ,T vj =125o C

71.9

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

382

A

Eレス

逆転回復 エネルギー

30.0

mJ

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

20

nH

バー CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

0.35

mΩ

バー thJC

接合 —～ —ケース (perIGBT ) ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.044 0.107

総量

バー thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.014 0.034 0.010

総量

M

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

300

g