Breve introduzione
Modulo IGBT ,Moduli IGBT ad alta tensione, interruttore singolo prodotti da CRRC. 3300V 400A.
Caratteristiche
●SPT+chip-set per bassa commutazione perdite |
● Basso V CEsat |
●Bassa potenza di pilotaggio potenza |
●A piastra base in lSiC per alta potenza c ciclabilità capabilit y |
●Sottostrato in AlN per bassa termica resistenza |
Tipico applicazione
●Azionamenti di trazione |
●Chopper DC |
●Inverter di media tensione raddrizzatori/convertitori |
Valori massimi nominali
Parametri |
Il simbolo |
Condizioni |
min |
max |
Unità |
Tensione tra collettore ed emittente |
VCES |
VGE =0V,Tvj ≥25°C |
|
3300 |
V |
Corrente di collettore DC |
Ic |
TC =80°C |
|
400 |
A |
Corrente di picco del collettore |
MIC |
tp=1ms,Tc=80°C |
|
800 |
A |
Tensione del portatore-emittente |
VGES |
|
-20 |
20 |
V |
Dissipazione totale di potenza |
Ptot |
TC =25°C, per interruttore (IGBT) |
|
7100 |
W |
Corrente continua in avanti |
IF |
|
|
400 |
A |
Corrente di picco in avanti |
IFRM |
tP=1 ms |
|
800 |
A |
Corrente di sovratensione |
IFSM |
VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, onda sinusoidale metà |
|
3000 |
A |
SOA di cortocircuito IGBT |
tpsc |
VCC =2500V,VCEMCHIP ≤3300V VGE ≤15V,Tvj≤125°C |
|
10 |
μs |
Tensione di isolamento |
Visol |
1min, f=50Hz |
|
10200 |
V |
Temperatura di giunzione |
Tvj |
|
|
150 |
℃ |
Temperatura di giunzione operativa |
Tvj ((op) |
|
-50 |
150 |
℃ |
Temperatura della cassa |
TC |
|
-50 |
125 |
℃ |
Temperatura di conservazione |
TSTG |
|
-50 |
125 |
℃ |
|
Coppie di montaggio
|
MS |
Base-radiatore ，Viti M6 |
4 |
6 |
Nm
|
Mt1 |
Terminali principali ，Viti M8 |
8 |
10 |
Valori caratteristici IGBT
Parametri |
Il simbolo |
Condizioni |
Min |
tIPO |
max |
Unità |
Tensione di rottura del collettore (- emettitore) |
V ((BR) CES |
VGE =0V,IC=5mA, Tvj=25°C |
3300 |
|
|
V |
Tensione di saturazione del collettore-emettitore |
VCEsat |
IC =400A, VGE =15V |
Tvj= 25°C |
|
3.0 |
|
V |
Tvj=125°C |
|
3.6 |
|
V |
Corrente di taglio del collettore |
ICES |
VCE =3300V, VGE =0V |
Tvj= 25°C |
|
|
5 |
mA |
Tvj=125°C |
|
|
50 |
mA |
Corrente di perdita di portata |
IGES |
VCE =0V,VGE =20V, Tvj =125°C |
-500 |
|
500 |
nA |
Tensione di soglia del portale-emittente |
VGE (th) |
IC =80mA,VCE =VGE, Tvj =25°C |
5.5 |
|
7.5 |
V |
Importo della porta |
CdG |
IC =400A,VCE =1800V, VGE =-15V … 15V |
|
4.0 |
|
μC |
Capacità di ingresso |
- Cies |
VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C
|
|
65 |
|
nF
|
Capacità di uscita |
Coes |
|
3.7 |
|
Capacità di trasferimento inverso |
Cres |
|
0.8 |
|
Tempo di ritardo di accensione |
td (in) |
VCC =1800V,
IC =400A,
RG =2.3Ω ,
VGE =±15V,
Lσ=280nH,
感性负载 (in inglese)
|
Tvj = 25 °C |
|
650 |
|
nS
|
Tvj = 125 °C |
|
750 |
|
Tempo di risalita |
tr |
Tvj = 25 °C |
|
400 |
|
Tvj = 125 °C |
|
470 |
|
Tempo di ritardo di spegnimento |
td (off) |
Tvj = 25 °C |
|
1600 |
|
nS
|
Tvj = 125 °C |
|
1800 |
|
Tempo di caduta |
tF |
Tvj = 25 °C |
|
1100 |
|
Tvj = 125 °C |
|
1200 |
|
Energia di perdita di commutazione all'accensione |
EON |
Tvj = 25 °C |
|
1400 |
|
mJ |
Tvj = 125 °C |
|
1800 |
|
Energia di perdita di commutazione allo spegnimento |
EOFF |
Tvj = 25 °C |
|
1300 |
|
mJ |
Tvj = 125 °C |
|
1700 |
|
Corrente di cortocircuito |
Isc |
tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 125°C,VCC = 2500V |
|
2500 |
|
A |
Valori caratteristici dei diodi
Parametri |
Il simbolo |
Condizioni |
min |
tIPO |
max |
Unità |
Voltaggio di avanzamento |
VF |
IF =400A |
Tvj = 25 °C |
|
2.3 |
2.6 |
V |
Tvj = 125 °C |
|
2.35 |
2.6 |
Corrente di recupero inversa |
- Non lo so. |
VCC =1800V,
IC =400A,
RG =2.3Ω ,
VGE =±15V,
Lσ=280nH,
|
Tvj = 25 °C |
|
900 |
|
A |
Tvj = 125 °C |
|
1000 |
|
Importo recuperato |
Qrr |
Tvj = 25 °C |
|
700 |
|
μC |
Tvj = 125 °C |
|
1000 |
|
Tempo di recupero inverso |
trr |
Tvj = 25 °C |
|
850 |
|
nS |
Tvj = 125 °C |
|
2200 |
|
Energia di recupero inverso |
Erec |
Tvj =25 °C |
|
850 |
|
mJ |
Tvj = 125 °C |
|
1300 |
|
EN
