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Modulo IGBT 1200V

Modulo IGBT 1200V

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GD400HTX120P4S , Modulo IGBT, STARPOWER

1200V 400A Imballo:P4

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD400HTX120P4S
  • Introduzione
  • Outline
  • Schema del circuito equivalente
Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1200V 400A. - Sì.

Caratteristiche

  • Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
  • Basse perdite di cambio
  • capacità di cortocircuito di 10 μs
  • VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
  • Temperatura massima di giunzione 175
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Baseplate di rame isolata con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

  • Veicolo ibrido ed elettrico
  • Invertitori per motori
  • Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni T F =25o C a meno che altrimenti notato

S GBT

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

S CN

Collettore Cu implementato renta

400

A

S C

Corrente del collettore @ T F =25o C @ T F =75o C

400

300

A

S CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

800

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T j =175o C

1500

A

Diodo

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1200

V

S FN

Implementato Avanzamento Cu renta

400

A

S F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

300

A

S FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

800

A

Modulo

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

IGBT Caratteristiche T F =25o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

S C =300A,V GE = 15V, T j =25o C

1.50

1.95

V

S C =300A,V GE = 15V, T j =125o C

1.60

S C =300A,V GE = 15V, T j =150o C

1.65

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

S C =16.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.3

5.8

6.3

V

S CES

Collettore Tagliato -OFF Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

S GES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza interna della porta

0.5

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

41.4

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

1.16

nF

Q G

Importo della porta

V GE =15V

3.11

μC

t d (su )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =500V,I C =300A, Barra G =1.5Ω,V GE =± 15V, T j =25o C

171

nS

t barra

Tempo di risalita

54

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

433

nS

t f

Tempo di caduta

41

nS

E su

Accendere Commutazione Perdita

18.2

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

13.4

mJ

t d (su )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =500V,I C =300A, Barra G =1.5Ω,V GE =± 15V, T j =125o C

193

nS

t barra

Tempo di risalita

54

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

546

nS

t f

Tempo di caduta

93

nS

E su

Accendere Commutazione Perdita

25.7

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

26.8

mJ

t d (su )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =500V,I C =300A, Barra G =1.5Ω,V GE =± 15V, T j =150o C

203

nS

t barra

Tempo di risalita

64

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

628

nS

t f

Tempo di caduta

93

nS

E su

Accendere Commutazione Perdita

27.8

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

30.9

mJ

S SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

Diodo Caratteristiche T F =25o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

S F =300A,V GE =0V,T j =25o C

1.55

1.80

V

S F =300A,V GE =0V,T j =125o C

1.50

S F =300A,V GE =0V,T j =150o C

1.45

Q barra

Importo recuperato

V Barra =500V,I F =300A,

-di/dt=3150A/μs,V GE = 15V T j =25o C

25.7

μC

S RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

229

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

6.7

mJ

Q barra

Importo recuperato

V Barra =500V,I F =300A,

-di/dt=3150A/μs,V GE = 15V T j =125o C

49.0

μC

S RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

380

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

17.1

mJ

Q barra

Importo recuperato

V Barra =500V,I F =300A,

-di/dt=3150A/μs,V GE = 15V T j =150o C

57.0

μC

S RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

380

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

20.0

mJ

NTC Caratteristiche T F =25o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

Barra 25

Resistenza Nominale

5.0

∆R/R

Deviazione di Barra 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Modulo Caratteristiche T F =25o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

Unità

p

Caduta di Pressione Circuito di Raffreddamento cuo

V/ t=10.0 dm 3/min ;T F =25o C ;Raffreddamento Fluido=50% Acqua/50% Glicole Etilenico

100

mbar

p

Pressione massima in circolo di raffreddamento cuo

2.5

barra

L CE

Induttanza di deflusso

14

nH

Barra CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.80

Barra thJF

Giunti -a -Raffreddamento In acqua fredda (perIGBT ) Junction-to-Cooling Fluid (per Di odo)

0.100 0.125

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5 3.0

5.0 6.0

N.M

G

Peso di Modulo

1250

g

Outline

Schema del circuito equivalente

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