GD400SGX170C2S,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

IC

Corrente del collettore @ T C=25o C

@ T C= 100o C

648

400

A

ICm

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

800

A

PD

Dissipazione di Potenza Massima T =175o C

2380

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1700

V

IF

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

400

A

IFM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

800

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Temperatura di stoccaggio Autonomia

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 mIN

4000

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

IC= 400 A,V GE = 15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC= 400 A,V GE = 15V, T j =125o C

2.25

IC= 400 A,V GE = 15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC= 16,0 mA,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF

Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

1.88

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

48.2

nF

Cres

Trasferimento inverso

Capacità

1.17

nF

QG

Importo della porta

V GE =- 15V... +15V

3.77

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C= 400A, Barra G=0.82Ω,V GE =± 15V, T j =25o C

204

nS

t barra

Tempo di risalita

38

nS

t d (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

425

nS

t f

Tempo di caduta

113

nS

Eattivo

Accendere Commutazione

Perdita

97.9

mJ

EoFF

Sconto di accensione

Perdita

84.0

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C= 400A, Barra G=0.82Ω,V GE =± 15V, T j =125o C

208

nS

t barra

Tempo di risalita

50

nS

t d (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

528

nS

t f

Tempo di caduta

184

nS

Eattivo

Accendere Commutazione

Perdita

141

mJ

EoFF

Sconto di accensione

Perdita

132

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C= 400A, Barra G=0.82Ω,V GE =± 15V, T j =150o C

216

nS

t barra

Tempo di risalita

50

nS

t d (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

544

nS

t f

Tempo di caduta

204

nS

Eattivo

Accendere Commutazione

Perdita

161

mJ

EoFF

Sconto di accensione

Perdita

137

mJ

ISC

Dati SC

t P≤ 10 μs,V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 100V, V CEM ≤1700V

1600

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

IF = 400 A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF = 400 A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF = 400 A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =900V,I F = 400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

116

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

666

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

63.8

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =900V,I F = 400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15V T j =125o C

187

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

662

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

114

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =900V,I F = 400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15V T j =150o C

209

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

640

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

132

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

LCE

Induttanza di deflusso

15

nH

Barra CC+EE

Resistenza di Contatto del Modulo nce, Terminale a Chip

0.18

mΩ

Barra ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.063

0.105

C/W

Barra thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Cassa-sink (p) diodo)

Cassa-sink (per Modulo)

0.016

0.027

0.010

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M4 Connessione Terminale Coppia, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g