Introduzione sintetica
Modulo IGBT ,prodotto da STARPOWER. 1200V 200A. - Sì.
Caratteristiche
- Tecnologia NPT IGBT
- capacità di cortocircuito di 10 μs
- Basse perdite di cambio
- VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
- Cassa a bassa induttanza
- FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
- Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC
Applicazioni tipiche
- Fornitore di alimentazione in modalità di commutazione
- Calore induttivo
- Saldatrici elettroniche
Assoluto Massimo Classificazioni T C=25o C a meno che altrimenti notato
IGBT
Il simbolo |
DESCRIZIONE |
Valore |
UNITÀ |
V CES |
Tensione tra collettore ed emittente |
1200 |
V |
V GES |
Tensione del portatore-emittente |
±20 |
V |
IC |
Corrente del collettore @ T C=25o C
@ T C=65o C
|
262
200
|
A |
ICm |
Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms |
400 |
A |
PD |
Dissipation di potenza massima @ T =150o C |
1315 |
A |
Diodo
Il simbolo |
DESCRIZIONE |
Valore |
UNITÀ |
V RRM |
Tensione inversa di picco ripetitiva |
1200 |
V |
IF |
Diodo di continua curvatura anteriore affitto |
200 |
A |
IFM |
Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms |
400 |
A |
Modulo
Il simbolo |
DESCRIZIONE |
Valore |
UNITÀ |
T jmax |
Temperatura massima di giunzione |
150 |
o C |
T - Giappone |
Temperatura di funzionamento della giunzione |
-40 a +125 |
o C |
T STG |
Temperatura di stoccaggio Autonomia |
-40 a +125 |
o C |
V ISO |
Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 mIN |
2500 |
V |
IGBT Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
UNITÀ |
|
V CE (sat)
|
Collettore all'emittente
Tensione di saturazione
|
IC=200A,V GE = 15V, T j =25o C |
|
3.00 |
3.45 |
V
|
IC=200A,V GE = 15V, T j =125o C |
|
3.80 |
|
V GE (th) |
Limita di emissione della porta Tensione |
IC=2.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C |
4.5 |
5.4 |
6.5 |
V |
ICES |
Collettore Tagliato -OFF
Corrente
|
V CE =V CES ,V GE =0V,
T j =25o C
|
|
|
5.0 |
mA |
IGES |
Perforazione del portello Corrente |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
Barra Gint |
Resistenza al cancello interno atteggiamento |
|
|
1.3 |
|
ω |
Cies |
Capacità di ingresso |
V CE = 25V, f=1MHz,
V GE =0V
|
|
13.0 |
|
nF |
Cres |
Trasferimento inverso
Capacità
|
|
0.85 |
|
nF |
QG |
Importo della porta |
V GE =- 15…+15V |
|
2.10 |
|
μC |
t d (attivo ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C=200A, Barra G=4.7Ω,V GE =± 15V, T j =25o C
|
|
87 |
|
nS |
t barra |
Tempo di risalita |
|
40 |
|
nS |
t d (oFF ) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
451 |
|
nS |
t f |
Tempo di caduta |
|
63 |
|
nS |
Eattivo |
Accendere Commutazione
Perdita
|
|
6.8 |
|
mJ |
EoFF |
Sconto di accensione
Perdita
|
|
11.9 |
|
mJ |
t d (attivo ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C=200A, Barra G=4.7Ω,V GE =± 15V, T j = 125o C
|
|
88 |
|
nS |
t barra |
Tempo di risalita |
|
44 |
|
nS |
t d (oFF ) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
483 |
|
nS |
t f |
Tempo di caduta |
|
78 |
|
nS |
Eattivo |
Accendere Commutazione
Perdita
|
|
11.4 |
|
mJ |
EoFF |
Sconto di accensione
Perdita
|
|
13.5 |
|
mJ |
|
ISC
|
Dati SC
|
t P≤ 10 μs,V GE = 15V,
T j =125o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V
|
|
1300
|
|
A
|
Diodo Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
UNITÀ |
V F |
Diodo di avanzamento
Tensione
|
IF =200A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.95 |
2.40 |
V |
IF =200A,V GE =0V,T j =125o C |
|
2.00 |
|
Qbarra |
Importo recuperato |
V Barra = 600V,I F =200A,
-di/dt=4600A/μs,V GE =- 15V T j =25o C
|
|
13.3 |
|
μC |
IRM |
Verso il picco inverso
Corrente di recupero
|
|
236 |
|
A |
Ericerca |
Ritorno al recupero Energia |
|
6.6 |
|
mJ |
Qbarra |
Importo recuperato |
V Barra = 600V,I F =200A,
-di/dt=4600A/μs,V GE =- 15V T j =125o C
|
|
23.0 |
|
μC |
IRM |
Verso il picco inverso
Corrente di recupero
|
|
269 |
|
A |
Ericerca |
Ritorno al recupero Energia |
|
10.5 |
|
mJ |
Modulo Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Min. |
Tipo. |
Max. |
UNITÀ |
LCE |
Induttanza di deflusso |
|
|
30 |
nH |
Barra CC+EE |
Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip |
|
0.35 |
|
mΩ |
Barra ilJC |
Connessione con il caso (per IGB) T)
Connessione con il caso (per D) iodio)
|
|
|
0.095
0.202
|
C/W |
|
Barra thCH
|
Cassa-sink (per IGBT)
Cassa-sink (p) diodo)
Cassa-sink (per Modulo)
|
|
0.029
0.063
0.010
|
|
C/W |
M |
Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M6 |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
N.M |
G |
Peso di Modulo |
|
300 |
|
g |
EN
