GD200CEX120C8SN, Modulo IGBT, STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1200V 200A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
capacità di cortocircuito di 10 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175 ℃
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

Invertitori per motori
Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valori	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =100 o C	363 200	A
Io CRM	Ripetitiva Pico Collettore Corrente tp limitata di T vjop	400	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T vj = 175 o C	1293	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valori	Unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo età	1200	V
Io F	Corrente continua in avanti del diodo ent	200	A
Io MF	Ripetitiva Pico In avanti Corrente tp limitata di T vjop	400	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valori	Unità
T vjmax	Temperatura massima di giunzione	175	o C
T vjop	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	o C
T STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	o C
V ISO	Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =200A,V GE = 15V, T vj = 25 o C		1.75	2.20	V
		Io C =200A,V GE = 15V, T vj = 125 o C		2.00
		Io C =200A,V GE = 15V, T vj = 150 o C		2.05
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =8.0 mA ,V CE = V GE , T vj = 25 o C	5.6	6.2	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF Corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj = 25 o C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello Corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj = 25 o C			400	nA
R Gint	Resistenza al cancello interno atteggiamento			1.0		ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		18.6		nF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		0.52		nF
Q G	Importo della porta	V GE =-15 ...+15V		1.40		μC
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, R G =2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj = 25 o C		140		nS
t r	Tempo di risalita			31		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			239		nS
t f	Tempo di caduta			188		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			11.2		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			13.4		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, R G =2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj = 125 o C		146		nS
t r	Tempo di risalita			36		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			284		nS
t f	Tempo di caduta			284		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			19.4		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			18.9		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, R G =2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj = 150 o C		148		nS
t r	Tempo di risalita			37		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			294		nS
t f	Tempo di caduta			303		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			21.7		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			19.8		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤10μs, V GE = 15V, T vj = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		800		A

Diodo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =200A,V GE =0V,T vj =2 5o C		1.85	2.30	V
		Io F =200A,V GE =0V,T vj = 125 o C		1.90
		Io F =200A,V GE =0V,T vj = 150 o C		1.95
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F =200A, -di⁄dt=5710A⁄μs, Ls=50nH, V GE = 15 V, T vj = 25 o C		20.0		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			220		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			7.5		mJ
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F =200A, -di⁄dt=4740A⁄μs, Ls=50nH, V GE = 15 V, T vj = 125 o C		34.3		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			209		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			12.9		mJ
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F =200A, -di⁄dt=4400A⁄μs, Ls=50nH, V GE = 15 V, T vj = 150 o C		38.7		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			204		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			14.6		mJ

Modulo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	Unità
R ilJC	Giunti -to -Caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)			0.116 0.185	C/W
R thCH	Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)		0.150 0.239 0.046		C/W
M	Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vattone M5	2.5 2.5		3.5 3.5	N.M
G	Peso di Modulo		200		g