DG25X12T2, IGBT discreto, STARPOWER

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

IC

Corrente del collettore @ T C=25o C

@ T C= 110o C

50

25

A

ICm

Corrente Collettore a Impulso t p limitato da T jmax

100

A

PD

Dissipation di potenza massima @ T j =175o C

573

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +175

o C

T STG

Temperatura di stoccaggio Autonomia

-55 a +150

o C

T S

Temperatura di saldatura,1.6mm da cassa per 10s

260

o C

M

Torsione di montaggio Vite M3

0.6

N.M

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

IC=25A, V GE = 15V,

T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=25A, V GE = 15V,

T j =125o C

1.95

IC=25A, V GE = 15V,

T j =150o C

2.00

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=0.63mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF

Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

0

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

2.59

nF

Cres

Trasferimento inverso

Capacità

0.07

nF

QG

Importo della porta

V GE =-15...+15V

0.19

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=25A, Barra G=20Ω,V GE =± 15V, T j =25o C

28

nS

t barra

Tempo di risalita

17

nS

t d (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

196

nS

t f

Tempo di caduta

185

nS

Eattivo

Accendere Commutazione

Perdita

1.71

mJ

EoFF

Sconto di accensione

Perdita

1.49

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=25A, Barra G=20Ω,V GE =± 15V, T j =125o C

28

nS

t barra

Tempo di risalita

21

nS

t d (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

288

nS

t f

Tempo di caduta

216

nS

Eattivo

Accendere Commutazione

Perdita

2.57

mJ

EoFF

Sconto di accensione

Perdita

2.21

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=25A, Barra G=20Ω,V GE =± 15V, T j =150o C

28

nS

t barra

Tempo di risalita

22

nS

t d (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

309

nS

t f

Tempo di caduta

227

nS

Eattivo

Accendere Commutazione

Perdita

2.78

mJ

EoFF

Sconto di accensione

Perdita

2.42

mJ

ISC

Dati SC

t P≤ 10 μs,V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

100

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

IF =25A,V GE =0V,T j =25o C

2.20

2.65

V

IF =25A,V GE =0V,T j = 125o C

2.30

IF =25A,V GE =0V,T j = 150o C

2.25

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE = 15V T j =25o C

1.43

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

34

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

0.75

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE = 15V T j = 125o C

2.4

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

42

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

1.61

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE = 15V T j = 150o C

2.6

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

44

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

2.10

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

Barra ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.262

0.495

C/W

Barra thJA

Giunzione-a-ambiente

40

C/W