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IGBT discreto

IGBT discreto

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DG25X12T2, IGBT discreto, STARPOWER

1200V,25A

Brand:
Strumento di controllo
  • Introduzione
Introduzione

Promemoria :F o più IGBT discreto , per favore invia un'email.

Caratteristiche

  • Basso VCE(sat) Trincea IGBT tECNOLOGIA
  • capacità di cortocircuito di 10 μs
  • Basse perdite di commutazione
  • Temperatura massima di giunzione 175oC
  • Cassa a bassa induttanza
  • VCE (sat) con positivo temperatura coefficiente
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Pacchetto senza piombo

Tipico Applicazioni

  • Invertitori per motori
  • Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
  • Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C

@ T C = 110o C

50

25

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p limitato da T jmax

100

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C

573

W

Diodo

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

V

Io F

Corrente continua in avanti del diodo @ T C = 110o C

25

A

Io FM

Diodo Massimo In avanti Corrente t p limitata di T jmax

100

A

Discreto

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +175

o C

T STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-55 a +150

o C

T S

Temperatura di saldatura,1.6mm da cassa per 10s

260

o C

M

Torsione di montaggio Vite M3

0.6

N.M

IGBT Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C =25A, V GE = 15V,

T j = 25 o C

1.70

2.15

V

Io C =25A, V GE = 15V,

T j = 125 o C

1.95

Io C =25A, V GE = 15V,

T j = 150 o C

2.00

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =0.63 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C

5.2

6.0

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j = 25 o C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

0

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

2.59

nF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

0.07

nF

Q G

Importo della porta

V GE =-15...+15V

0.19

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =25A, R G =20Ω,V GE =± 15V, T j = 25 o C

28

nS

t r

Tempo di risalita

17

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

196

nS

t f

Tempo di caduta

185

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

1.71

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

1.49

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =25A, R G =20Ω,V GE =± 15V, T j = 125 o C

28

nS

t r

Tempo di risalita

21

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

288

nS

t f

Tempo di caduta

216

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

2.57

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

2.21

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =25A, R G =20Ω,V GE =± 15V, T j = 150 o C

28

nS

t r

Tempo di risalita

22

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

309

nS

t f

Tempo di caduta

227

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

2.78

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

2.42

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE = 15V,

T j = 150 o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

100

A

Diodo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F =25A,V GE =0V,T j = 25 o C

2.20

2.65

V

Io F =25A,V GE =0V,T j = 125o C

2.30

Io F =25A,V GE =0V,T j = 150o C

2.25

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE = 15V T j = 25 o C

1.43

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

34

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

0.75

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE = 15V T j = 125o C

2.4

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

42

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

1.61

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE = 15V T j = 150o C

2.6

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

44

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

2.10

mJ

Discreto Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

Unità

R ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.262

0.495

C/W

R thJA

Giunzione-a-ambiente

40

C/W

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