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Modulo IGBT 1200V

Modulo IGBT 1200V

Homepage/Prodotti/Modulo IGBT/Modulo IGBT 1200V

GD600HFX120C2SA,Modulo IGBT,STARPOWER

1200V 600A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD600HFX120C2SA
  • Introduzione
  • Outline
Introduzione

Introduzione sintetica

Modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 600A.

Caratteristiche

  • Bassa V CE (seduto ) Trincea IGBT tecnologia
  • 10 μs capacita' di cortocircuito ilità
  • V CE (seduto ) con positivo temperatura coefficiente
  • Massimo temperatura di giunzione 175o C
  • Induttanza bassa caso
  • Recupero inverso veloce e morbido fWD antiparallelo
  • Piastra di base in rame isolata usi ng tecnologia HPS DBC

Tipico Applicazioni

  • Invertitori per motori d riva
  • Corrente alternata e corrente continua servo trazione amplificatore
  • Alimentazione ininterrotta fornitura

Assoluto Massimo Classificazioni T C=25o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

IC

Corrente del collettore @ T C=25o C

@ T C= 100o C

925

600

A

ICm

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

1200

A

PD

Dissipation di potenza massima @ T j =175o C

3000

A

Diodo

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

V

IF

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

600

A

IFM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

1200

A

Modulo

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Temperatura di stoccaggio Autonomia

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 mIN

4000

V

IGBT Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

IC=600A,V GE = 15V, T j =25o C

1.65

2.00

V

IC=600A,V GE = 15V, T j =125o C

1.95

IC=600A,V GE = 15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF

Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

0.5

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V

60.8

nF

Cres

Trasferimento inverso

Capacità

1.84

nF

QG

Importo della porta

V GE =- 15…+15V

4.64

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=600A, Barra G=1.2Ω,L S =20nH, V GE = ± 15V,T j =25o C

308

nS

t barra

Tempo di risalita

42

nS

t d (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

431

nS

t f

Tempo di caduta

268

nS

Eattivo

Accendere Commutazione

Perdita

15.7

mJ

EoFF

Sconto di accensione

Perdita

51.3

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=600A, Barra G=1.2Ω, LS =20nH ,

V GE = ± 15V,T j =125o C

311

nS

t barra

Tempo di risalita

49

nS

t d (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

467

nS

t f

Tempo di caduta

351

nS

Eattivo

Accendere Commutazione

Perdita

31.1

mJ

EoFF

Sconto di accensione

Perdita

69.4

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=600A, Barra G=1.2Ω, LS =20nH ,

V GE = ± 15V,T j =150o C

313

nS

t barra

Tempo di risalita

51

nS

t d (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

475

nS

t f

Tempo di caduta

365

nS

Eattivo

Accendere Commutazione

Perdita

34.8

mJ

EoFF

Sconto di accensione

Perdita

71.1

mJ

ISC

Dati SC

t P≤ 10 μs,V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Diodo Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

IF =600A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF =600A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

IF =600A,V GE =0V,T j = 150o C

1.95

Qbarra

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =600A,

-di/dt=13040A/μs,V GE =- 15 V, T j =25o C

38.1

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

524

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

34.9

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =600A,

-di/dt=11220A/μs,V GE=- 15 V, T j = 125o C

82.8

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

565

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

54.4

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =600A,

-di/dt=11040A/μs,V GE=- 15 V, T j = 150o C

94.7

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

589

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

55.8

mJ

Modulo Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

LCE

Induttanza di deflusso

20

nH

Barra CC+EE

Resistenza di Contatto del Modulo nce, Terminale a Chip

0.35

Barra ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.050

0.080

C/W

Barra thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Cassa-sink (p) diodo)

Cassa-sink (per Modulo)

0.033

0.052

0.010

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g

Outline

image(c3756b8d25).png

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