Tutte le categorie
Richiedi un preventivo

Richiedi un preventivo gratuito

Il nostro rappresentante ti contatterà a breve.
Email
Nome
Nome azienda
Message
0/1000

Modulo IGBT 1200V

Modulo IGBT 1200V

Homepage/Prodotti/Modulo IGBT/Modulo IGBT 1200V

GD200HFQ120C2SD, Modulo IGBT, STARPOWER

1200V 200A, Confezione:C2

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD200HFQ120C2SD
  • Introduzione
  • Outline
  • Schema del circuito equivalente
Introduzione

Introduzione sintetica

Modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo .1200V 200A. - Sì.

Caratteristiche

  • Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
  • capacità di cortocircuito di 10 μs
  • VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
  • Temperatura massima di giunzione 175
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

  • Fornitore di alimentazione in modalità di commutazione
  • Calore induttivo
  • Saldatrici elettroniche

Assoluto Massimo Classificazioni T F =25o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

IC

Corrente del collettore @ T C=25o C @ T C=100o C

324

200

A

ICm

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

400

A

PD

Dissipation di potenza massima @ T vj =175o C

1181

A

Diodo

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1200

V

IF

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

200

A

IFM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

400

A

Modulo

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

IGBT Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

IC=200A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC=200A,V GE = 15V, T vj =125o C

2.25

IC=200A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=8.00mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

3.8

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

21.6

nF

Cres

Trasferimento inverso Capacità

0.59

nF

QG

Importo della porta

V GE =-15...+15V

1.68

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=200A, Barra G=4.7Ω, LS =45nH , V GE = ± 15V,T vj =25o C

100

nS

t barra

Tempo di risalita

72

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

303

nS

t f

Tempo di caduta

71

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

26.0

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

6.11

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=200A, Barra G=4.7Ω, LS =45nH , V GE = ± 15V,T vj =125o C

99

nS

t barra

Tempo di risalita

76

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

325

nS

t f

Tempo di caduta

130

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

33.5

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

8.58

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=200A, Barra G=4.7Ω, LS =45nH , V GE = ± 15V,T vj =150o C

98

nS

t barra

Tempo di risalita

80

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

345

nS

t f

Tempo di caduta

121

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

36.2

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

9.05

mJ

ISC

Dati SC

t P≤10μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

750

A

Diodo Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

IF =200A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =200A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =200A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Qbarra

Ricostruito Carica

V Barra = 600V,I F =200A,

-di/dt=1890A/μs,V GE = 15 V, LS =45nH ,T vj =25o C

19.4

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

96

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

5.66

mJ

Qbarra

Ricostruito Carica

V Barra = 600V,I F =200A,

-di/dt=1680A/μs,V GE = 15 V, LS =45nH ,T vj =125o C

29.5

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

106

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

8.56

mJ

Qbarra

Ricostruito Carica

V Barra = 600V,I F =200A,

-di/dt=1600A/μs,V GE = 15 V, LS =45nH ,T vj =150o C

32.2

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

107

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

9.24

mJ

Modulo Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

LCE

Induttanza di deflusso

20

nH

Barra CC+EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.35

Barra ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT ) Connessione con il caso (per D) iodio)

0.127 0.163

C/W

Barra thCH

Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.036 0.046 0.010

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g

Outline

Schema del circuito equivalente

Richiedi un preventivo gratuito

Il nostro rappresentante ti contatterà a breve.
Email
Nome
Nome azienda
Message
0/1000

Prodotto correlato

Hai domande su qualche prodotto?

Il nostro team di vendite professionale è in attesa della sua consulenza.
Puoi seguire la lista dei loro prodotti e fare qualsiasi domanda ti interessi.

Richiedi un preventivo

Richiedi un preventivo gratuito

Il nostro rappresentante ti contatterà a breve.
Email
Nome
Nome azienda
Message
0/1000

Richiedi un preventivo gratuito

Il nostro rappresentante ti contatterà a breve.
Email
Nome
Nome azienda
Message
0/1000