GD200HFQ120C2SD, Modulo IGBT, STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1200V 200A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
capacità di cortocircuito di 10 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175 ℃
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

Fornitore di alimentazione in modalità di commutazione
Calore induttivo
Saldatrici elettroniche

Assoluto Massimo Classificazioni T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valori	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =100 o C	324 200	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms	400	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T vj = 175 o C	1181	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valori	Unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo età	1200	V
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu renta	200	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms	400	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
T vjmax	Temperatura massima di giunzione	175	o C
T vjop	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	o C
T STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	o C
V ISO	Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =200A,V GE = 15V, T vj = 25 o C		1.85	2.30	V
		Io C =200A,V GE = 15V, T vj = 125 o C		2.25
		Io C =200A,V GE = 15V, T vj = 150 o C		2.35
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =8,00 mA ,V CE = V GE , T vj = 25 o C	5.6	6.2	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF Corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj = 25 o C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello Corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj = 25 o C			400	nA
R Gint	Resistenza al cancello interno atteggiamento			3.8		ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		21.6		nF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		0.59		nF
Q G	Importo della porta	V GE =-15...+15V		1.68		μC
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, R G =4.7Ω, L S =45 nH , V GE = ± 15V,T vj = 25 o C		100		nS
t r	Tempo di risalita			72		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			303		nS
t f	Tempo di caduta			71		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			26.0		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			6.11		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, R G =4.7Ω, L S =45 nH , V GE = ± 15V,T vj = 125 o C		99		nS
t r	Tempo di risalita			76		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			325		nS
t f	Tempo di caduta			130		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			33.5		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			8.58		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, R G =4.7Ω, L S =45 nH , V GE = ± 15V,T vj = 150 o C		98		nS
t r	Tempo di risalita			80		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			345		nS
t f	Tempo di caduta			121		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			36.2		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			9.05		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤10μs, V GE = 15V, T vj = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		750		A

Diodo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =200A,V GE =0V,T vj =2 5o C		1.85	2.30	V
		Io F =200A,V GE =0V,T vj = 125 o C		1.90
		Io F =200A,V GE =0V,T vj = 150 o C		1.95
Q r	Ricostruito Carica	V R = 600V,I F =200A, -di/dt=1890A/μs,V GE = 15 V, L S =45 nH ,T vj = 25 o C		19.4		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			96		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			5.66		mJ
Q r	Ricostruito Carica	V R = 600V,I F =200A, -di/dt=1680A/μs,V GE = 15 V, L S =45 nH ,T vj = 125 o C		29.5		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			106		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			8.56		mJ
Q r	Ricostruito Carica	V R = 600V,I F =200A, -di/dt=1600A/μs,V GE = 15 V, L S =45 nH ,T vj = 150 o C		32.2		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			107		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			9.24		mJ

Modulo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	Unità
L CE	Induttanza di deflusso			20	nH
R CC+EE	Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip		0.35		mΩ
R ilJC	Giunti -to -Caso (perIGBT ) Connessione con il caso (per D) iodio)			0.127 0.163	C/W
R thCH	Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)		0.036 0.046 0.010		C/W
M	Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
G	Peso di Modulo		300		g