MTx400 MFx400 MT400, Moduli a Tirodi/Diodo, Raffreddamento a Acqua

Introduzione

Breve introduzione

Tiristore/ Modulo di diodo , MTx 400 MFx 400 MT 400，400A ,Raffreddamento ad acqua ，prodotto da TECHSEM.

VRRM,VDRM

Tipo e contorno

2600V

di potenza superiore a 300 V

3000V

3200V

3400V

di potenza superiore a 300 V

MT4 di cui all'articolo 4

MT3 sistema di controllo

MT2comunicazione

MT3 sistema di controllo

MT4 - Sistemi di controllo

MFx400-26-406F3

MFx400-28-406F3

MFx400-30-406F3

MFx400-32-406F3

MFx400-34-406F3

MFx400-36-406F3

MTx significa qualsiasi tipo di MTC, MTA, MTK

MFx significa qualsiasi tipo di MFC, MFA, MFK

Caratteristiche

Base di montaggio isolata 3000V~
Tecnologia di contatto a pressione con
Maggiore capacità di cicli di potenza
Risparmio di spazio e peso

Applicazioni tipiche

Motori a corrente alternata
Vari rettificatori
Fornitura di corrente continua per inversione PWM

Il simbolo	Caratteristica	Condizioni di prova	Tj( ℃ )	Valore			Unità
Il simbolo	Caratteristica	Condizioni di prova	Tj( ℃ )	Min	TIPO	Max	Unità
IT(AV)	Corrente media in stato di accensione	180° mezza onda sinusoidale 50Hz Conducibile a raffreddamento a lato singolo, THS=55 ℃	125			400	A
IT(RMS)	Corrente di stato RMS		125			628	A
Idrm Irrm	Corrente di picco ripetitiva	a VDRM a VRRM	125			50	mA
ITSM	Corrente di sovratensione in stato di accensione	VR=60%VRRM,t=10ms mezzo seno,	125			10.5	kA
I2t	I2t per coordinazione fusibile	VR=60%VRRM,t=10ms mezzo seno,	125			551	10³A ²s
VTO	Voltaggio di soglia		125			0.85	V
rT	Resistenza di pendenza in stato di accensione		125			0.90	mΩ
VTM	Tensione di picco in stato di accensione	ITM=1200A	25			2.85	V
dv/dt	Tasso critico di aumento della tensione in stato di off	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento	Gate source 1.5A tr ≤0.5μs Ripetitivo	125			200	A/μs
IGT	Corrente di attivazione del gate	VA=12V, IA=1A	25	30		200	mA
Vgt	Tensione di attivazione del gate			0.8		3.0	V
IH	Corrente di mantenimento			10		200	mA
IL	Corrente di aggancio					1000	mA
VGD	Tensione di gate non attivata	VDM=67%VDRM	125			0.20	V
Rth(j-c)	Resistenza termica Giunzione a custodia	Raffreddato da un lato per chip				0.100	℃ /W
Rth(c-h)	Resistenza termica case a dissipatore	Raffreddato da un lato per chip				0.040	℃ /W
VISO	Tensione di isolamento	50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max)		4000			V
FM	Torsione di connessione terminale ((M12)			12		14	N·m
FM	Coppia di montaggio (M6)			4.5		6	N·m
Tvj	Temperatura di giunzione			-40		125	℃
TSTG	Temperatura di immagazzinamento			-40		125	℃
Wt	Peso				1580		g
Outline	406F3