MTx500 MFx500 MT500, Moduli di Thyristor/Diode, Raffreddamento ad Acqua

Il simbolo

Caratteristica

Condizioni di prova

Tj( ℃ )

Valore

Unità

Min

TIPO

Max

IT(AV)

Corrente media in stato di accensione

180° mezza onda sinusoidale 50Hz

Conducibile a raffreddamento a lato singolo, THS=55 ℃

125

500

A

IT(RMS)

Corrente di stato RMS

785

A

Idrm Irrm

Corrente di picco ripetitiva

a VDRM a VRRM

125

35

mA

ITSM

Corrente di sovratensione in stato di accensione

VR=60%VRRM,t=10ms mezzo seno,

125

14.5

kA

I2t

I2t per coordinazione fusibile

125

1051

10³A ²s

VTO

Voltaggio di soglia

125

0.80

V

rT

Resistenza di pendenza in stato di accensione

0.64

mΩ

VTM

Tensione di picco in stato di accensione

ITM=1500A

25

1.90

V

dv/dt

Tasso critico di aumento della tensione in stato di off

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento

Gate source 1.5A

tr ≤0.5μs Ripetitivo

125

200

A/μs

IGT

Corrente di attivazione del gate

VA=12V, IA=1A

25

30

200

mA

Vgt

Tensione di attivazione del gate

0.8

3.0

V

IH

Corrente di mantenimento

10

200

mA

IL

Corrente di aggancio

1000

mA

VGD

Tensione di gate non attivata

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

Raffreddato da un lato per chip

0.085

。C/W

Rth(c-h)

Resistenza termica case a dissipatore

Raffreddato da un lato per chip

0.040

。C/W

VISO

Tensione di isolamento

50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max)

3000

V

FM

Torsione di connessione terminale ((M12)

12

14

N·m

Coppia di montaggio (M6)

4.5

6

N·m

Tvj

Temperatura di giunzione

-40

125

。C

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

125

。C

Wt

Peso

1580

g

Outline

406F3