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Modulo IGBT 1200V

Modulo IGBT 1200V

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GD450HFX120C2SA,Modulo IGBT,STARPOWER

Modulo IGBT, 1200V 450A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD450HFX120C2SA
  • Introduzione
  • Outline
Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1200V 450A. - Sì.

Caratteristiche

  • Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
  • capacità di cortocircuito di 10 μs
  • VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
  • Temperatura massima di giunzione 175oC
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

  • Invertitori per motori
  • Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
  • Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =100 o C

704

450

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

900

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T vj = 175 o C

2307

W

Diodo

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1200

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

450

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

900

A

Modulo

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

IGBT Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C = 450 A,V GE = 15V, T vj = 25 o C

1.70

2.15

V

Io C = 450 A,V GE = 15V, T vj = 125 o C

1.95

Io C = 450 A,V GE = 15V, T vj = 150 o C

2.00

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 18,0 mA ,V CE = V GE , T vj = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj = 25 o C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

0.7

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

46.6

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

1.31

nF

Q G

Importo della porta

V GE =-15...+15V

3.50

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 450A, R G =1.5Ω,V GE =± 15V, LS =45 nH ,T vj = 25 o C

284

nS

t r

Tempo di risalita

78

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

388

nS

t f

Tempo di caduta

200

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

45.0

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

33.4

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 450A, R G =1.5Ω,V GE =± 15V, LS =45 nH ,T vj = 125 o C

288

nS

t r

Tempo di risalita

86

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

456

nS

t f

Tempo di caduta

305

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

60.1

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

48.4

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 450A, R G =1.5Ω,V GE =± 15V, LS =45 nH ,T vj = 150 o C

291

nS

t r

Tempo di risalita

88

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

472

nS

t f

Tempo di caduta

381

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

63.5

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

52.1

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

T vj = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1800

A

Diodo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F = 450 A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.90

2.35

V

Io F = 450 A,V GE =0V,T vj = 125 o C

2.00

Io F = 450 A,V GE =0V,T vj = 150 o C

2.05

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 450A,

-di/dt=4500A/μs,V GE = 15 V, LS =45 nH ,T vj = 25 o C

39.4

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

296

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

11.8

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 450A,

-di/dt=4100A/μs,V GE = 15 V, LS =45 nH ,T vj = 125 o C

58.6

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

309

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

17.7

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 450A,

-di/dt=4000A/μs,V GE = 15 V, LS =45 nH ,T vj = 150 o C

83.6

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

330

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

20.3

mJ

Modulo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

R CC+EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.35

R ilJC

Giunti -to -Caso (perIGBT ) Connessione con il caso (per D) iodio)

0.065 0.119

C/W

R thCH

Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.031 0.057 0.010

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g

Outline

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