GD400HTX120P6HLT,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io CN

Collettore Cu implementato renta

400

A

Io C

Corrente del collettore @ T F =120 o C

250

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

800

A

P P

Massima dissipazione di potenza ation @ T F =75 o C T j = 175 o C

1010

W

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

V RRM

Pico ripetitivo volta inversa gE

1200

V

Io FN

Collettore Cu implementato renta

400

A

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

250

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

800

A

Io 2t

Io 2valore t, t p =10ms @ T j = 125 o C @ T j = 150 o C

17860

15664

A 2s

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione continua

Per 10s all'interno di un periodo di 30s, occorrenza massimo 3000 volte durante la vita me

-40 a +150 +150 a +175

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

3000

V

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =250A,V GE = 15V, T j = 25 o C

1.45

1.80

V

Io C =250A,V GE = 15V, T j = 125 o C

1.65

Io C =250A,V GE = 15V, T j = 150 o C

1.70

Io C =380A,V GE = 15V, T j = 25 o C

1.70

Io C =380A,V GE = 15V, T j = 150 o C

2.15

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =9.75 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza interna della porta

2.4

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V

33.6

nF

C - Non

Capacità di uscita

1.43

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.82

nF

Q G

Importo della porta

V CE = 600V,I C =250A, V GE =-8... +15V

1.98

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 250 A, R G = 2,2Ω, L S = 24 nH ,V GE =-8V/+15V,

T j = 25 o C

231

nS

t r

Tempo di risalita

50

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

545

nS

t f

Tempo di caduta

172

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

19.6

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

23.2

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 250 A, R G = 2,2Ω, L S = 24 nH ,V GE =-8V/+15V,

T j = 125 o C

241

nS

t r

Tempo di risalita

57

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

619

nS

t f

Tempo di caduta

247

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

26.6

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

28.7

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 250 A, R G = 2,2Ω, L S = 24 nH ,V GE =-8V/+15V,

T j = 150 o C

245

nS

t r

Tempo di risalita

57

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

641

nS

t f

Tempo di caduta

269

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

30.1

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

30.9

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤6μs, V GE = 15V,

T j = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1200

A

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =250A,V GE =0V,T j = 25 o C

1.50

1.90

V

Io F =250A,V GE =0V,T j =1 25o C

1.45

Io F =250A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.40

Io F =380A,V GE =0V,T j = 25 o C

1.65

Io F =380A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.60

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 250 A,

-di/dt=4860A/μs,V GE =-8V L S = 24 nH ,T j = 25 o C

9.10

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

160

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

4.39

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 250 A,

- di/dt=4300A/μs,V GE =-8V L S = 24 nH ,T j = 125 o C

21.4

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

192

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

8.43

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 250 A,

-di/dt=4120A/μs,V GE =-8V L S = 24 nH ,T j = 150 o C

25.7

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

203

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

9.97

mJ

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

R 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Il simbolo

Parametri

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

8

nH

R CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.75

mΩ

△ p

△ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 o C

64

mbar

p

Pressione massima in circolo di raffreddamento cuo

2.5

bar

R thJF

Giunti -a -Raffreddamento In acqua fredda (perIGBT )Giunzione-a-Fluido di Raffreddamento (per D iodio)

0.099 0.128

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Peso di Modulo

750

g