GD100HHU120C6SD, Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =75 o C

146

100

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

200

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T vj = 150 o C

771

W

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1200

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

100

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

200

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

150

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +125

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min

2500

V

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =100A,V GE = 15V, T vj = 25 o C

3.00

3.45

V

Io C =100A,V GE = 15V, T vj = 125 o C

3.80

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 4,0 mA ,V CE = V GE , T vj = 25 o C

4.5

5.5

6.5

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj = 25 o C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

1.0

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

6.50

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.42

nF

Q G

Importo della porta

V GE =-15...+15V

1.10

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =100A, R G =9.1Ω,V GE =± 15V, LS = 48 nH ,T vj = 25 o C

38

nS

t r

Tempo di risalita

50

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

330

nS

t f

Tempo di caduta

27

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

8.92

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

2.06

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =100A, R G =9.1Ω,V GE =± 15V, LS = 48 nH ,T vj = 125 o C

37

nS

t r

Tempo di risalita

50

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

362

nS

t f

Tempo di caduta

43

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

10.7

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

3.69

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

T vj = 125 o C ,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

650

A

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =100A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V

Io F =100A,V GE =0V,T vj = 125 o C

1.90

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =100A,

-di/dt=2245A/μs,V GE = 15V LS = 48 nH ,T vj = 25 o C

11.5

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

101

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

4.08

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =100A,

-di/dt=2352A/μs,V GE = 15V LS = 48 nH ,T vj = 125 o C

19.0

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

120

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

7.47

mJ

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

R 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di R 100

T vj =100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Il simbolo

Parametri

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

21

nH

R CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

2.60

mΩ

R ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.162 0.401

C/W

R thCH

Caso -a -Lavello (perIGBT )

Cassa-sink (per diodo)

Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.051 0.125 0.009

C/W

M

Torsione di montaggio Vite M6

3.0

6.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g