GD100HHU120C6SD, Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

IC

Corrente del collettore @ T C=25o C@ T C=75o C

146

100

A

ICm

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

200

A

PD

Dissipation di potenza massima @ T vj =150o C

771

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1200

V

IF

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

100

A

IFM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

200

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

150

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +125

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min

2500

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

IC=100A,V GE = 15V, T vj =25o C

3.00

3.45

V

IC=100A,V GE = 15V, T vj =125o C

3.80

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=4.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

4.5

5.5

6.5

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

1.0

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

6.50

nF

Cres

Trasferimento inverso Capacità

0.42

nF

QG

Importo della porta

V GE =-15...+15V

1.10

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=100A, Barra G=9.1Ω,V GE =± 15V, LS =48nH ,T vj =25o C

38

nS

t barra

Tempo di risalita

50

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

330

nS

t f

Tempo di caduta

27

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

8.92

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

2.06

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=100A, Barra G=9.1Ω,V GE =± 15V, LS =48nH ,T vj =125o C

37

nS

t barra

Tempo di risalita

50

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

362

nS

t f

Tempo di caduta

43

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

10.7

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

3.69

mJ

ISC

Dati SC

t P≤10μs, V GE = 15V,

T vj =125o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

650

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V F

Diodo di avanzamento Tensione

IF =100A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =100A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =100A,

-di/dt=2245A/μs,V GE = 15V LS =48nH ,T vj =25o C

11.5

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

101

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

4.08

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =100A,

-di/dt=2352A/μs,V GE = 15V LS =48nH ,T vj =125o C

19.0

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

120

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

7.47

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

Barra 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di Barra 100

T vj =100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

LCE

Induttanza di deflusso

21

nH

Barra CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

2.60

mΩ

Barra ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.162 0.401

C/W

Barra thCH

Caso -a -Lavello (perIGBT )

Cassa-sink (per diodo)

Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.051 0.125 0.009

C/W

M

Torsione di montaggio Vite M6

3.0

6.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g