GD900SGU120C3SN,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C

@ T C = 80 o C

1350

900

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

1800

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T j = 150 o C

7.40

kw

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

900

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

1800

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T jmax

Temperatura massima di giunzione

150

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +125

o C

T STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min

4000

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C = 800 A, V GE = 15V, T j = 25 o C

2.90

3.35

V

Io C = 800 A, V GE = 15V, T j = 125 o C

3.60

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 16,0 mA,V CE =V GE , T j = 25 o C

5.0

6.1

7.0

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j = 25 o C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

53.1

nF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

3.40

nF

Q G

Importo della porta

V GE - Sì. 15…+15V

8.56

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C = 800A, R G = 1.3Ω,

V GE =± 15V, T j = 25 o C

90

nS

t r

Tempo di risalita

81

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

500

nS

t f

Tempo di caduta

55

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

36.8

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

41.3

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C = 800A, R G = 1.3Ω,

V GE =± 15V, T j = 125o C

115

nS

t r

Tempo di risalita

92

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

550

nS

t f

Tempo di caduta

66

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

52.5

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

59.4

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE = 15V,

T j = 125 o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

5200

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F = 800 A, V GE =0V,T j = 25 o C

1.95

2.40

V

Io F = 800 A, V GE =0V,T j = 125o C

1.95

Q r

Importo recuperato

V CC =900V,I F = 800A,

- di/dt=9500A/μs,V GE =± 15V, T j = 25 o C

56

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

550

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

38.7

mJ

Q r

Importo recuperato

V CC =900V,I F = 800A,

- di/dt=9500A/μs,V GE =± 15V, T j = 125o C

148

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

920

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

91.8

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

12

nH

R CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.19

mΩ

R θ JC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Connessione con il caso (per D) iodio)

16.9

26.2

K/kW

R θ CS

Cassa-sink (per IGBT)

Cassa-sink (per diodo)

19.7

30.6

K/kW

R θ CS

Cassa-sink

6.0

K/kW

M

Torsione di connessione terminale, Vite M4 Connessione Terminale Coppia, Vite M8 Torsione di montaggio Vite M6

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Peso di Modulo

1500

g