Introduzione sintetica
Modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 900A.
Caratteristiche
- Tecnologia NPT IGBT
-
10 μs capacita' di cortocircuito ilità
-
Bassa perdite di cambio
-
Robusto con prestazioni ultra veloci atteggiamento
-
V CE (seduto ) con positivo temperatura coefficiente
-
Recupero inverso veloce e morbido fWD antiparallelo
- Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC
Tipico Applicazioni
- Fornitore di alimentazione in modalità di commutazione
- Calore induttivo
- Saldatrici elettroniche
Assoluto Massimo Classificazioni T C=25o C a meno che altrimenti notato
IGBT
Il simbolo |
DESCRIZIONE |
Valore |
UNITÀ |
V CES |
Tensione tra collettore ed emittente |
1200 |
V |
V GES |
Tensione del portatore-emittente |
±20 |
V |
IC |
Corrente del collettore @ T C=25o C
@ T C=80o C
|
1350
900
|
A |
ICm |
Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms |
1800 |
A |
PD |
Dissipation di potenza massima @ T j =150o C |
7.40 |
kw |
Diodo
Il simbolo |
DESCRIZIONE |
Valore |
UNITÀ |
V RRM |
Tensione inversa di picco ripetitiva |
1200 |
V |
IF |
Diodo di continua curvatura anteriore affitto |
900 |
A |
IFM |
Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms |
1800 |
A |
Modulo
Il simbolo |
DESCRIZIONE |
Valore |
UNITÀ |
T jmax |
Temperatura massima di giunzione |
150 |
o C |
T - Giappone |
Temperatura di funzionamento della giunzione |
-40 a +125 |
o C |
T STG |
Temperatura di stoccaggio Autonomia |
-40 a +125 |
o C |
V ISO |
Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min |
4000 |
V |
IGBT Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
UNITÀ |
|
V CE (sat)
|
Collettore all'emittente
Tensione di saturazione
|
IC= 800 A, V GE = 15V, T j =25o C |
|
2.90 |
3.35 |
V
|
IC= 800 A, V GE = 15V, T j =125o C |
|
3.60 |
|
V GE (th) |
Limita di emissione della porta Tensione |
IC= 16,0 mA,V CE =V GE , T j =25o C |
5.0 |
6.1 |
7.0 |
V |
ICES |
Collettore Tagliato -OFF
Corrente
|
V CE =V CES ,V GE =0V,
T j =25o C
|
|
|
5.0 |
mA |
IGES |
Perforazione del portello Corrente |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
Cies |
Capacità di ingresso |
V CE = 25V, f=1MHz,
V GE =0V
|
|
53.1 |
|
nF |
Cres |
Trasferimento inverso
Capacità
|
|
3.40 |
|
nF |
QG |
Importo della porta |
V GE =- 15…+15V |
|
8.56 |
|
μC |
t d (attivo ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC =900V,I C= 800A, Barra G= 1.3Ω,
V GE =± 15V, T j =25o C
|
|
90 |
|
nS |
t barra |
Tempo di risalita |
|
81 |
|
nS |
t d (oFF ) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
500 |
|
nS |
t f |
Tempo di caduta |
|
55 |
|
nS |
Eattivo |
Accendere Commutazione
Perdita
|
|
36.8 |
|
mJ |
EoFF |
Sconto di accensione
Perdita
|
|
41.3 |
|
mJ |
t d (attivo ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC =900V,I C= 800A, Barra G= 1.3Ω,
V GE =± 15V, T j = 125o C
|
|
115 |
|
nS |
t barra |
Tempo di risalita |
|
92 |
|
nS |
t d (oFF ) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
550 |
|
nS |
t f |
Tempo di caduta |
|
66 |
|
nS |
Eattivo |
Accendere Commutazione
Perdita
|
|
52.5 |
|
mJ |
EoFF |
Sconto di accensione
Perdita
|
|
59.4 |
|
mJ |
|
ISC
|
Dati SC
|
t P≤ 10 μs,V GE = 15V,
T j =125o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V
|
|
5200
|
|
A
|
Diodo Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
UNITÀ |
V F |
Diodo di avanzamento
Tensione
|
IF = 800 A, V GE =0V,T j =25o C |
|
1.95 |
2.40 |
V |
IF = 800 A, V GE =0V,T j = 125o C |
|
1.95 |
|
Qbarra |
Importo recuperato |
V CC =900V,I F = 800A,
- di/dt=9500A/μs,V GE =± 15V, T j =25o C
|
|
56 |
|
μC |
IRM |
Verso il picco inverso
Corrente di recupero
|
|
550 |
|
A |
Ericerca |
Ritorno al recupero Energia |
|
38.7 |
|
mJ |
Qbarra |
Importo recuperato |
V CC =900V,I F = 800A,
- di/dt=9500A/μs,V GE =± 15V, T j = 125o C
|
|
148 |
|
μC |
IRM |
Verso il picco inverso
Corrente di recupero
|
|
920 |
|
A |
Ericerca |
Ritorno al recupero Energia |
|
91.8 |
|
mJ |
Modulo Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Min. |
Tipo. |
Max. |
UNITÀ |
LCE |
Induttanza di deflusso |
|
12 |
|
nH |
Barra CC+EE |
Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip |
|
0.19 |
|
mΩ |
Barra θ JC |
Connessione con il caso (per IGB) T)
Connessione con il caso (per D) iodio)
|
|
|
16.9
26.2
|
K/kW |
Barra θ CS |
Cassa-sink (per IGBT)
Cassa-sink (per diodo)
|
|
19.7
30.6
|
|
K/kW |
Barra θ CS |
Cassa-sink |
|
6.0 |
|
K/kW |
|
M
|
Torsione di connessione terminale, Vite M4 Connessione Terminale Coppia, Vite M8 Torsione di montaggio Vite M6 |
1.8
8.0
4.25
|
|
2.1
10
5.75
|
N.M
|
G |
Peso di Modulo |
|
1500 |
|
g |
EN
