GD400HFQ120C2SD,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

IC

Corrente del collettore @ T C=25o C

@ T C=100o C

769

400

A

ICm

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

800

A

PD

Dissipation di potenza massima @ T vj =175o C

2272

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min

2500

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

IC= 400 A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC= 400 A,V GE = 15V, T vj =125o C

2.25

IC= 400 A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=16.00mA ,V CE =V GE ,T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF

Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V,

T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza interna della porta

0.5

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V

43.2

nF

Cres

Trasferimento inverso

Capacità

1.18

nF

QG

Importo della porta

V GE =- 15…+15V

3.36

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C= 400A, Barra G=2Ω, LS =45nH ,

V GE =± 15V, T vj =25o C

288

nS

t barra

Tempo di risalita

72

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

314

nS

t f

Tempo di caduta

55

nS

Eattivo

Accendere Commutazione

Perdita

43.6

mJ

EoFF

Sconto di accensione

Perdita

12.4

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C= 400A, Barra G=2Ω, LS =45nH ,

V GE =± 15V, T vj =125o C

291

nS

t barra

Tempo di risalita

76

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

351

nS

t f

Tempo di caduta

88

nS

Eattivo

Accendere Commutazione

Perdita

57.6

mJ

EoFF

Sconto di accensione

Perdita

17.1

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C= 400A, Barra G=2Ω, LS =45nH ,

V GE =± 15V, T vj =150o C

293

nS

t barra

Tempo di risalita

78

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

365

nS

t f

Tempo di caduta

92

nS

Eattivo

Accendere Commutazione

Perdita

62.8

mJ

EoFF

Sconto di accensione

Perdita

18.6

mJ

ISC

Dati SC

t P≤10μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1500

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

IF = 400 A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF = 400 A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF = 400 A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Qbarra

Ricostruito

Carica

V Barra = 600V,I F = 400A,

-di/dt=4130A/μs,V GE =- 15 V, LS =45nH ,T vj =25o C

38.8

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

252

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

11.2

mJ

Qbarra

Ricostruito

Carica

V Barra = 600V,I F = 400A,

-di /dt =3860A/μs, V GE =- 15 V, LS =45nH ,T vj =125o C

61.9

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

255

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

18.7

mJ

Qbarra

Ricostruito

Carica

V Barra = 600V,I F = 400A,

-di /dt =3720A/μs, V GE =- 15 V, LS =45nH ,T vj =150o C

75.9

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

257

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

20.5

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

LCE

Induttanza di deflusso

20

nH

Barra CC+EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.35

mΩ

Barra ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.066

0.115

C/W

Barra thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Caso-a-Radiatore (pe r Diode)

Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.031

0.055

0.010

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g