Modulo IGBT 1200V

GD300SGY120C2S, Modulo IGBT, STARPOWER

1200V 300A

Brand:

Strumento di controllo

Spu:

GD300SGY120C2S

Introduzione
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Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 600A.

Caratteristica

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
capacità di cortocircuito di 10 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175oC
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Tipico Applicazioni

Invertitori per motori
Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =100 o C	480 300	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms	600	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C	1613	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V RRM	Tensione inversa di picco ripetitiva	1200	V
Io F	Diodo di continua curvatura anteriore affitto	300	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms	600	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
T jmax	Temperatura massima di giunzione	175	o C
T - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	o C
T STG	Temperatura di conservazione Autonomia	-40 a +125	o C
V ISO	Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min	4000	V

IGBT Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametri	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
VCE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	IC=300A, VGE=15V, Tj=25oC		1.70	2.15	V
		IC=300A, VGE=15V, Tj=125oC		1.95
		IC=300A, VGE=15V, Tj=150oC		2.00
VGE (th)	Tensione di soglia del portale-emittente	IC=7,50mA, VCE=VGE, Tj=25oC	5.2	6.0	6.8	V
ICES	Interruzione del Collettore Corrente	VCE=VCES, VGE=0V, Tj=25oC			1.0	mA
IGES	Corrente di perdita del portatore-emettitore	VGE=VGES,VCE=0V,Tj=25oC			400	nA
RGint	Resistenza interna della porta			2.5		ω
- Cies	Capacità di ingresso	VCE=25V, f=1MHz, VGE=0V		31.1		nF
Cres	Trasferimento inverso Capacità	VCE=25V, f=1MHz, VGE=0V		0.87		nF
CdG	Importo della porta	VGE=- 15…+15V		2.33		μC
td (in)	Tempo di ritardo di accensione	VCC=600V,IC=300A, RG= 1,3Ω,VGE=±15V, Tj=25oC		182		nS
tr	Tempo di risalita			54		nS
td (off)	Tempo di ritardo di spegnimento			464		nS
tF	Tempo di caduta			72		nS
EON	Accendere il comando Perdita			10.6		mJ
EOFF	Sconto di accensione Perdita			25.8		mJ
td (in)	Tempo di ritardo di accensione	VCC=600V,IC=300A, RG= 1,3Ω,VGE=±15V, Tj= 125oC		193		nS
tr	Tempo di risalita			54		nS
td (off)	Tempo di ritardo di spegnimento			577		nS
tF	Tempo di caduta			113		nS
EON	Accendere il comando Perdita			16.8		mJ
EOFF	Sconto di accensione Perdita			38.6		mJ
td (in)	Tempo di ritardo di accensione	VCC=600V,IC=300A, RG= 1,3Ω,VGE=±15V, Tj= 150oC		203		nS
tr	Tempo di risalita			54		nS
td (off)	Tempo di ritardo di spegnimento			618		nS
tF	Tempo di caduta			124		nS
EON	Accendere il comando Perdita			18.5		mJ
EOFF	Sconto di accensione Perdita			43.3		mJ
Isc	Dati SC	tP≤10μs,VGE=15V, Tj=150oC,VCC=900V,VCEM≤1200V		1200		A

Diodo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametri	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
VF	Diodo di avanzamento Tensione	IF=300A,VGE=0V,Tj=25oC		1.65	2.10	V
		IF=300A,VGE=0V,Tj= 125oC		1.65
		Se = 300A, VGE = 0V,Tj = 150oC		1.65
Qr	Importo recuperato	VCC=600V,IF=300A, - di/dt=6050A/μs, VGE=- 15V, Tj=25oC		29		μC
IRM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			318		A
Erec	Energia di recupero inverso			18.1		mJ
Qr	Importo recuperato	VCC=600V,IF=300A, - di/dt=6050A/μs, VGE=- 15V, Tj= 125oC		55		μC
IRM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			371		A
Erec	Energia di recupero inverso			28.0		mJ
Qr	Importo recuperato	VCC=600V,IF=300A, - di/dt=6050A/μs, VGE=- 15V, Tj= 150oC		64		μC
IRM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			390		A
Erec	Energia di recupero inverso			32.8		mJ

Modulo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametri	Min.	Tipo.	Max.	Unità
LCE	Induttanza di deflusso			20	nH
RCC+EE	Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip		0.35		mΩ
RthJC	Fabbricazione di dispositivi di controllo della velocità Connessione con cassa (per diodo)			0.093 0.155	C/W
RthCH	Cassa-sink (per IGBT) Cassa-sink (per diodo) Cassa-sink (per modulo)		0.016 0.027 0.010		C/W
M	Torsione di connessione terminale, vite M6 Torsione di montaggio, vite M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
G	Peso del modulo		300		g

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