GD1200HFX170C3S,Modulo IGBT,Modulo IGBT ad alta corrente,STARPOWER

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

IC

Corrente del collettore @ T C=25o C @ T C=100o C

1965

1200

A

ICm

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

2400

A

PD

Dissipation di potenza massima @ T vj =175o C

6.55

kw

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1700

V

IF

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

1200

A

IFM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

2400

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

IC=1200A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC=1200A,V GE = 15V, T vj =125o C

2.25

IC=1200A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=48.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

1.6

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V

142

nF

Cres

Trasferimento inverso Capacità

3.57

nF

QG

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

11.8

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C= 1200A, Barra Gon =1.5Ω, Barra Goff =3.3Ω, V GE =-10/+15V,

LS =110nH,T vj =25o C

700

nS

t barra

Tempo di risalita

420

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

1620

nS

t f

Tempo di caduta

231

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

616

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

419

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C= 1200A, Barra Gon =1.5Ω, Barra Goff =3.3Ω, V GE =-10/+15V,

LS =110nH,T vj =125o C

869

nS

t barra

Tempo di risalita

495

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

1976

nS

t f

Tempo di caduta

298

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

898

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

530

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C= 1200A, Barra Gon =1.5Ω, Barra Goff =3.3Ω, V GE =-10/+15V,

LS =110nH,T vj =150o C

941

nS

t barra

Tempo di risalita

508

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

2128

nS

t f

Tempo di caduta

321

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

981

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

557

mJ

ISC

Dati SC

t P≤10μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC =1000V,

V CEM ≤1700V

4800

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V F

Diodo di avanzamento Tensione

IF =1200A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =1200A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =1200A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =900V,I F = 1200A,

-di/dt=2430A/μs,V GE =-10V, LS =110nH,T vj =25o C

217

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

490

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

108

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =900V,I F = 1200A,

-di/dt=2070A/μs,V GE =-10V, LS =110nH,T vj =125o C

359

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

550

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

165

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =900V,I F = 1200A,

-di/dt=1970A/μs,V GE =-10V, LS =110nH,T vj =150o C

423

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

570

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

200

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

LCE

Induttanza di deflusso

20

nH

Barra CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.37

mΩ

Barra ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

22.9 44.2

K/kW

Barra thCH

Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)

18.2 35.2 6.0

K/kW

M

Torsione di connessione terminale, Vite M4 Torsione di connessione terminale, Vite M8 Torsione di montaggio Vite M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Peso di Modulo

1500

g