GD2400SGX170C4S,Modulo IGBT,Modulo IGBT ad alta corrente,STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT ,prodotto da STARPOWER. 1 700V 1200A ,A3 .

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
capacità di cortocircuito di 10 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175oC
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

Convertitori ad alta potenza
Azionamenti per motori
Turbine Eoliche

Assoluto Massimo Classificazioni T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1700	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =100 o C	1965 1200	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms	2400	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T vj = 175 o C	6.55	kw

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo età	1700	V
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu renta	1200	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms	2400	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
T vjmax	Temperatura massima di giunzione	175	o C
T vjop	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	o C
T STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	o C
V ISO	Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =1200A,V GE = 15V, T vj = 25 o C		1.85	2.30	V
		Io C =1200A,V GE = 15V, T vj = 125 o C		2.25
		Io C =1200A,V GE = 15V, T vj = 150 o C		2.35
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =48,0 mA ,V CE = V GE , T vj = 25 o C	5.6	6.2	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF Corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj = 25 o C			5.0	mA
Io GES	Perforazione del portello Corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj = 25 o C			400	nA
R Gint	Resistenza al cancello interno atteggiamento			1.6		ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V		142		nF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V		3.57		nF
Q G	Importo della porta	V GE =-15 ...+15V		11.8		μC
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C = 1200A, R Gon =1.5Ω, R Goff =3.3Ω, V GE =-10/+15V, L S =110nH,T vj = 25 o C		700		nS
t r	Tempo di risalita			420		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			1620		nS
t f	Tempo di caduta			231		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			616		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			419		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C = 1200A, R Gon =1.5Ω, R Goff =3.3Ω, V GE =-10/+15V, L S =110nH,T vj = 125 o C		869		nS
t r	Tempo di risalita			495		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			1976		nS
t f	Tempo di caduta			298		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			898		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			530		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C = 1200A, R Gon =1.5Ω, R Goff =3.3Ω, V GE =-10/+15V, L S =110nH,T vj = 150 o C		941		nS
t r	Tempo di risalita			508		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			2128		nS
t f	Tempo di caduta			321		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			981		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			557		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤10μs, V GE = 15V, T vj = 150 o C ,V CC =1000V, V CEM ≤1700V		4800		A

Diodo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =1200A,V GE =0V,T vj = 25 o C		1.80	2.25	V
		Io F =1200A,V GE =0V,T vj = 125 o C		1.90
		Io F =1200A,V GE =0V,T vj = 150 o C		1.95
Q r	Importo recuperato	V R =900V,I F = 1200A, -di/dt=2430A/μs,V GE =-10V, L S =110nH,T vj = 25 o C		217		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			490		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			108		mJ
Q r	Importo recuperato	V R =900V,I F = 1200A, -di/dt=2070A/μs,V GE =-10V, L S =110nH,T vj = 125 o C		359		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			550		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			165		mJ
Q r	Importo recuperato	V R =900V,I F = 1200A, -di/dt=1970A/μs,V GE =-10V, L S =110nH,T vj = 150 o C		423		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			570		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			200		mJ

Modulo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	Unità
L CE	Induttanza di deflusso		20		nH
R CC+EE	Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip		0.37		mΩ
R ilJC	Giunti -to -Caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)			22.9 44.2	K/kW
R thCH	Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)		18.2 35.2 6.0		K/kW
M	Torsione di connessione terminale, Vite M4 Torsione di connessione terminale, Vite M8 Torsione di montaggio Vite M6	1.8 8.0 4.25		2.1 10 5.75	N.M
G	Peso di Modulo		1500		g