GD1200HFX170C3S,Modulo IGBT,Modulo IGBT ad alta corrente,STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =100 o C

1965

1200

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

2400

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T vj = 175 o C

6.55

kw

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1700

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

1200

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

2400

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =1200A,V GE = 15V, T vj = 25 o C

1.85

2.30

V

Io C =1200A,V GE = 15V, T vj = 125 o C

2.25

Io C =1200A,V GE = 15V, T vj = 150 o C

2.35

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =48,0 mA ,V CE = V GE , T vj = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj = 25 o C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

1.6

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V

142

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

3.57

nF

Q G

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

11.8

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C = 1200A, R Gon =1.5Ω, R Goff =3.3Ω, V GE =-10/+15V,

L S =110nH,T vj = 25 o C

700

nS

t r

Tempo di risalita

420

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

1620

nS

t f

Tempo di caduta

231

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

616

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

419

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C = 1200A, R Gon =1.5Ω, R Goff =3.3Ω, V GE =-10/+15V,

L S =110nH,T vj = 125 o C

869

nS

t r

Tempo di risalita

495

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

1976

nS

t f

Tempo di caduta

298

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

898

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

530

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C = 1200A, R Gon =1.5Ω, R Goff =3.3Ω, V GE =-10/+15V,

L S =110nH,T vj = 150 o C

941

nS

t r

Tempo di risalita

508

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

2128

nS

t f

Tempo di caduta

321

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

981

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

557

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

T vj = 150 o C ,V CC =1000V,

V CEM ≤1700V

4800

A

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =1200A,V GE =0V,T vj = 25 o C

1.80

2.25

V

Io F =1200A,V GE =0V,T vj = 125 o C

1.90

Io F =1200A,V GE =0V,T vj = 150 o C

1.95

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F = 1200A,

-di/dt=2430A/μs,V GE =-10V, L S =110nH,T vj = 25 o C

217

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

490

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

108

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F = 1200A,

-di/dt=2070A/μs,V GE =-10V, L S =110nH,T vj = 125 o C

359

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

550

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

165

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F = 1200A,

-di/dt=1970A/μs,V GE =-10V, L S =110nH,T vj = 150 o C

423

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

570

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

200

mJ

Il simbolo

Parametri

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

R CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.37

mΩ

R ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

22.9 44.2

K/kW

R thCH

Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)

18.2 35.2 6.0

K/kW

M

Torsione di connessione terminale, Vite M4 Torsione di connessione terminale, Vite M8 Torsione di montaggio Vite M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Peso di Modulo

1500

g