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Modulo IGBT 1700V

Modulo IGBT 1700V

Homepage/Prodotti/Modulo IGBT/Modulo IGBT 1700V

GD150HFX170C1S, Modulo IGBT, STARPOWER

1700V 150A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD150HFX170C1S
  • Introduzione
  • Outline
  • Schema del circuito equivalente
Introduzione

Introduzione sintetica

Modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo .1700V 150A. - Sì.

Caratteristiche

  • Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
  • capacità di cortocircuito di 10 μs
  • VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
  • Temperatura massima di giunzione 175
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

  • Invertitori per motori
  • Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
  • Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni T F =25o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

IC

Corrente del collettore @ T C=25o C@ T C=95o C

229

150

A

ICm

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

300

A

PD

Dissipation di potenza massima @ T j =175o C

815

A

Diodo

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1700

V

IF

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

150

A

IFM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

300

A

Modulo

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min

4000

V

IGBT Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

IC=150A,V GE = 15V, T j =25o C

1.85

2.30

V

IC=150A,V GE = 15V, T j =125o C

2.25

IC=150A,V GE = 15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=6.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza interna della porta

5.0

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

18.1

nF

Cres

Trasferimento inverso Capacità

0.44

nF

QG

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

1.41

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C=150A, Barra G=3.3Ω,V GE =± 15V, LS =70nH ,T j =25o C

303

nS

t barra

Tempo di risalita

75

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

417

nS

t f

Tempo di caduta

352

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

42.3

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

25.3

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C=150A, Barra G=3.3Ω,V GE =± 15V, LS =70nH ,T j =125o C

323

nS

t barra

Tempo di risalita

88

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

479

nS

t f

Tempo di caduta

509

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

58.9

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

34.9

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C=150A, Barra G=3.3Ω,V GE =± 15V, LS =70nH ,T j =150o C

327

nS

t barra

Tempo di risalita

90

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

498

nS

t f

Tempo di caduta

608

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

65.6

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

40.2

mJ

ISC

Dati SC

t P≤10μs, V GE = 15V,

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

600

A

Diodo Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V F

Diodo di avanzamento Tensione

IF =150A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =150A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF =150A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =900V,I F =150A,

-di/dt=1510A/μs,V GE = 15V LS =70nH ,T j =25o C

26.2

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

131

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

21.6

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =900V,I F =150A,

-di/dt=1280A/μs,V GE = 15V LS =70nH, T j =125o C

48.0

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

140

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

40.1

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =900V,I F =150A,

-di/dt=1240A/μs,V GE = 15V LS =70nH, T j =150o C

52.3

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

142

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

42.5

mJ

Modulo Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

LCE

Induttanza di deflusso

30

nH

Barra CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.65

Barra ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.184 0.368

C/W

Barra thCH

Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.150 0.300 0.050

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Peso di Modulo

150

g

Outline

Schema del circuito equivalente

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