GD150HFX170C1S, Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C = 95 o C

229

150

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

300

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C

815

W

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1700

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

150

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

300

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min

4000

V

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =150A,V GE = 15V, T j = 25 o C

1.85

2.30

V

Io C =150A,V GE = 15V, T j = 125 o C

2.25

Io C =150A,V GE = 15V, T j = 150 o C

2.35

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =6.0 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza interna della porta

5.0

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

18.1

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.44

nF

Q G

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

1.41

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =150A, R G =3.3Ω,V GE =± 15V, L S =70 nH , T j = 25 o C

303

nS

t r

Tempo di risalita

75

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

417

nS

t f

Tempo di caduta

352

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

42.3

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

25.3

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =150A, R G =3.3Ω,V GE =± 15V, L S =70 nH ,T j = 125 o C

323

nS

t r

Tempo di risalita

88

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

479

nS

t f

Tempo di caduta

509

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

58.9

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

34.9

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =150A, R G =3.3Ω,V GE =± 15V, L S =70 nH ,T j = 150 o C

327

nS

t r

Tempo di risalita

90

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

498

nS

t f

Tempo di caduta

608

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

65.6

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

40.2

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

T j = 150 o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

600

A

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =150A,V GE =0V,T j = 25 o C

1.80

2.25

V

Io F =150A,V GE =0V,T j =1 25o C

1.90

Io F =150A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.95

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=1510A/μs,V GE = 15V L S =70 nH , T j = 25 o C

26.2

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

131

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

21.6

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=1280A/μs,V GE = 15V L S =70nH, T j = 125 o C

48.0

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

140

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

40.1

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=1240A/μs,V GE = 15V L S =70nH, T j = 150 o C

52.3

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

142

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

42.5

mJ

Il simbolo

Parametri

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

30

nH

R CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.65

mΩ

R ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.184 0.368

C/W

R thCH

Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.150 0.300 0.050

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Peso di Modulo

150

g