GD400HTX120P4SD,Modulo IGBT,STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1200V 400A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
Basse perdite di cambio
capacità di cortocircuito di 10 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175oC
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Baseplate di rame isolata con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

Veicolo ibrido ed elettrico
Invertitori per motori
Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io CN	Collettore Cu implementato renta	400	A
Io C	Corrente del collettore @ T F = 25 o C @ T F =75 o C	400 300	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms	800	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C	1500	W

IGBT

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo età	1200	V
Io FN	Implementato Avanzamento Cu renta	400	A
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu renta	300	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms	800	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
T jmax	Temperatura massima di giunzione	175	o C
T - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	o C
T STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	o C
V ISO	Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Caratteristiche T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =300A,V GE = 15V, T j = 25 o C		1.50	1.95	V
		Io C =300A,V GE = 15V, T j = 125 o C		1.60
		Io C =300A,V GE = 15V, T j = 150 o C		1.65
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =16.0 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C	5.3	5.8	6.3	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF Corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello Corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C			400	nA
R Gint	Resistenza interna della porta			0.5		ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		41.4		nF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		1.16		nF
Q G	Importo della porta	V GE =15V		3.11		μC
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =500V,I C =300A, R G =1.5Ω,V GE =± 15V, LS = 25 nH ,T j = 25 o C		223		nS
t r	Tempo di risalita			32		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			354		nS
t f	Tempo di caduta			228		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			6.24		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			20.1		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =500V,I C =300A, R G =1.5Ω,V GE =± 15V, Ls=25nH,T j = 125 o C		229		nS
t r	Tempo di risalita			36		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			411		nS
t f	Tempo di caduta			344		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			11.0		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			28.6		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =500V,I C =300A, R G =1.5Ω,V GE =± 15V, Ls=25nH,T j = 150 o C		231		nS
t r	Tempo di risalita			38		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			421		nS
t f	Tempo di caduta			352		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			12.2		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			29.7		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤10μs, V GE = 15V, T j = 150 o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		1600		A

Diodo Caratteristiche T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =300A,V GE =0V,T j = 25 o C		1.35	1.80	V
		Io F =300A,V GE =0V,T j =1 25o C		1.35
		Io F =300A,V GE =0V,T j =1 50o C		1.35
Q r	Importo recuperato	V R =500V,I F =300A, -di⁄dt=9700A⁄μs,V GE = 15V Ls=25nH,T j = 25 o C		32.7		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			478		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			22.1		mJ
Q r	Importo recuperato	V R =500V,I F =300A, -di⁄dt=8510A⁄μs,V GE = 15V Ls=25nH,T j = 125 o C		45.9		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			522		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			32.7		mJ
Q r	Importo recuperato	V R =500V,I F =300A, -di⁄dt=8250A⁄μs,V GE = 15V Ls=25nH,T j = 150 o C		51.5		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			537		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			37.4		mJ

NTC Caratteristiche T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
R 25	Resistenza Nominale			5.0		kΩ
∆R/R	Deviazione di R 100	T C =100 o C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Potenza Dissipazione				20.0	mW
B 25/50	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modulo Caratteristiche T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	Unità
△ p	Caduta di Pressione Circuito di Raffreddamento cuo △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ;T F = 25 o C ;Raffreddamento Fluido=50% Acqua/50% Glicole Etilenico		100		mbar
p	Pressione massima in circolo di raffreddamento cuo			2.5	bar
L CE	Induttanza di deflusso		14		nH
R CC+EE	Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip		0.80		mΩ
R thJF	Giunti -to -Raffreddamento Fluid (perIGBT ) Junction-to-Cooling Fluid (per Di odo)			0.100 0.125	C/W
M	Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6	2.5 3.0		5.0 6.0	N.M
G	Peso di Modulo		1340		g