GD600SGU120C2SD, Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =70 o C

857

600

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

1200

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T vj = 150 o C

4310

W

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1200

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

600

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

1200

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

150

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +125

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =600A,V GE = 15V, T vj = 25 o C

3.00

3.45

V

Io C =600A,V GE = 15V, T vj = 125 o C

3.80

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 12 mA ,V CE = V GE , T vj = 25 o C

4.8

5.8

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj = 25 o C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

0.31

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

43.6

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

2.72

nF

Q G

Importo della porta

V GE =-15V…+15V

8.32

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =600A, R G =1.5Ω, V GE =± 15V, LS =50 nH ,T vj = 25 o C

317

nS

t r

Tempo di risalita

76

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

548

nS

t f

Tempo di caduta

55

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

20.2

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

34.2

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =600A, R G =1.5Ω, V GE =± 15V, LS =50 nH ,T vj = 125 o C

325

nS

t r

Tempo di risalita

79

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

595

nS

t f

Tempo di caduta

59

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

27.2

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

38.4

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

T vj = 125 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

3000

A

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =600A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V

Io F =600A,V GE =0V,T vj = 125 o C

1.90

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =600A,

-di/dt=7745A/μs,V GE = 15 V, LS =50 nH ,T vj = 25 o C

58.0

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

489

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

28.1

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =600A,

-di/dt=7355A/μs,V GE = 15 V, LS =50 nH ,T vj = 25 o C

100

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

563

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

48.2

mJ

Il simbolo

Parametri

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

R CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.35

mΩ

R ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.029 0.069

C/W

R thCH

Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.014 0.034 0.010

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g