GD600SGU120C2SD, Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

IC

Corrente del collettore @ T C=25o C@ T C=70o C

857

600

A

ICm

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

1200

A

PD

Dissipation di potenza massima @ T vj =150o C

4310

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1200

V

IF

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

600

A

IFM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

1200

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

150

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +125

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

IC=600A,V GE = 15V, T vj =25o C

3.00

3.45

V

IC=600A,V GE = 15V, T vj =125o C

3.80

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=12mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

4.8

5.8

6.8

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

0.31

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

43.6

nF

Cres

Trasferimento inverso Capacità

2.72

nF

QG

Importo della porta

V GE =-15V…+15V

8.32

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=600A, Barra G=1.5Ω, V GE =± 15V, LS =50nH ,T vj =25o C

317

nS

t barra

Tempo di risalita

76

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

548

nS

t f

Tempo di caduta

55

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

20.2

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

34.2

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=600A, Barra G=1.5Ω, V GE =± 15V, LS =50nH ,T vj =125o C

325

nS

t barra

Tempo di risalita

79

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

595

nS

t f

Tempo di caduta

59

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

27.2

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

38.4

mJ

ISC

Dati SC

t P≤10μs, V GE = 15V,

T vj =125o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

3000

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V F

Diodo di avanzamento Tensione

IF =600A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =600A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =600A,

-di/dt=7745A/μs,V GE = 15 V, LS =50nH ,T vj =25o C

58.0

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

489

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

28.1

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =600A,

-di/dt=7355A/μs,V GE = 15 V, LS =50nH ,T vj =25o C

100

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

563

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

48.2

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

LCE

Induttanza di deflusso

20

nH

Barra CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.35

mΩ

Barra ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.029 0.069

C/W

Barra thCH

Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.014 0.034 0.010

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g