IDG75X12T2, IGBT discreto, STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =100 o C

150

75

A

Io CM

Pulsato Collettore Corrente t p limitata di T vjmax

225

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T vj = 175 o C

852

W

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1200

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

75

A

Io FM

Pulsato Collettore Corrente t p limitata di T vjmax

225

A

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +175

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-55 a +150

o C

T S

Temperatura di Saldatura,1.6mm f rom case for 10s

260

o C

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =75A,V GE = 15V, T vj = 25 o C

1.75

2.20

V

Io C =75A,V GE = 15V, T vj = 150 o C

2.10

Io C =75A,V GE = 15V, T vj = 175 o C

2.20

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =3.00 mA ,V CE = V GE , T vj = 25 o C

5.0

5.8

6.5

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj = 25 o C

250

μA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj = 25 o C

100

nA

R Gint

Resistenza interna della porta

2.0

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V

6.58

nF

C - Non

Capacità di uscita

0.40

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.19

nF

Q G

Importo della porta

V GE =-15...+15V

0.49

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =75A, R G =4.7Ω,

V GE =± 15V, Ls=40nH,

T vj = 25 o C

41

nS

t r

Tempo di risalita

135

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

87

nS

t f

Tempo di caduta

255

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

12.5

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

3.6

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =75A, R G =4.7Ω,

V GE =± 15V, Ls=40nH,

T vj = 150 o C

46

nS

t r

Tempo di risalita

140

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

164

nS

t f

Tempo di caduta

354

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

17.6

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

6.3

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =75A, R G =4.7Ω,

V GE =± 15V, Ls=40nH,

T vj = 175 o C

46

nS

t r

Tempo di risalita

140

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

167

nS

t f

Tempo di caduta

372

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

18.7

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

6.7

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

T vj = 175 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

300

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =75A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.75

2.20

V

Io F =75A,V GE =0V,T vj =15 0o C

1.75

Io F =75A,V GE =0V,T vj =17 5o C

1.75

trr

Diodo inverso Tempo di Recupero

V R = 600V,I F =75A,

-di/dt=370A/μs,V GE =-15 V, Ls=40nH,

T vj = 25 o C

267

nS

Q r

Importo recuperato

4.2

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

22

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

1.1

mJ

trr

Diodo inverso Tempo di Recupero

V R = 600V,I F =75A,

-di/dt=340A/μs,V GE =-15 V, Ls=40nH,

T vj = 150 o C

432

nS

Q r

Importo recuperato

9.80

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

33

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

2.7

mJ

trr

Diodo inverso Tempo di Recupero

V R = 600V,I F =75A,

-di/dt=320A/μs,V GE =-15 V, Ls=40nH,

T vj = 175 o C

466

nS

Q r

Importo recuperato

11.2

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

35

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

3.1

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

Unità

R ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T) Connessione con il caso (per D) iodio)

0.176 0.371

C/W

R thJA

Giunzione-a-ambiente

40

C/W