IDG75X12T2, IGBT discreto, STARPOWER

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

IC

Corrente del collettore @ T C=25o C @ T C=100o C

150

75

A

ICm

Pulsato Collettore Corrente t p limitato di T vjmax

225

A

PD

Dissipation di potenza massima @ T vj =175o C

852

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1200

V

IF

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

75

A

IFM

Pulsato Collettore Corrente t p limitato di T vjmax

225

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +175

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-55 a +150

o C

T S

Temperatura di Saldatura,1.6mm f rom case for 10s

260

o C

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

IC=75A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.75

2.20

V

IC=75A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.10

IC=75A,V GE = 15V, T vj =175o C

2.20

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=3.00mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.0

5.8

6.5

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

250

μA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

100

nA

Barra Gint

Resistenza interna della porta

2.0

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V

6.58

nF

C- Non

Capacità di uscita

0.40

Cres

Trasferimento inverso Capacità

0.19

nF

QG

Importo della porta

V GE =-15...+15V

0.49

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=75A, Barra G=4.7Ω,

V GE =± 15V, Ls=40nH,

T vj =25o C

41

nS

t barra

Tempo di risalita

135

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

87

nS

t f

Tempo di caduta

255

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

12.5

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

3.6

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=75A, Barra G=4.7Ω,

V GE =± 15V, Ls=40nH,

T vj =150o C

46

nS

t barra

Tempo di risalita

140

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

164

nS

t f

Tempo di caduta

354

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

17.6

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

6.3

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=75A, Barra G=4.7Ω,

V GE =± 15V, Ls=40nH,

T vj =175o C

46

nS

t barra

Tempo di risalita

140

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

167

nS

t f

Tempo di caduta

372

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

18.7

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

6.7

mJ

ISC

Dati SC

t P≤10μs, V GE = 15V,

T vj =175o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

300

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V F

Diodo di avanzamento Tensione

IF =75A,V GE =0V,T vj =25o C

1.75

2.20

V

IF =75A,V GE =0V,T vj =150o C

1.75

IF =75A,V GE =0V,T vj =175o C

1.75

trr

Diodo inverso Tempo di Recupero

V Barra = 600V,I F =75A,

-di/dt=370A/μs,V GE =-15V, Ls=40nH,

T vj =25o C

267

nS

Qbarra

Importo recuperato

4.2

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

22

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

1.1

mJ

trr

Diodo inverso Tempo di Recupero

V Barra = 600V,I F =75A,

-di/dt=340A/μs,V GE =-15V, Ls=40nH,

T vj =150o C

432

nS

Qbarra

Importo recuperato

9.80

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

33

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

2.7

mJ

trr

Diodo inverso Tempo di Recupero

V Barra = 600V,I F =75A,

-di/dt=320A/μs,V GE =-15V, Ls=40nH,

T vj =175o C

466

nS

Qbarra

Importo recuperato

11.2

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

35

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

3.1

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

Barra ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T) Connessione con il caso (per D) iodio)

0.176 0.371

C/W

Barra thJA

Giunzione-a-ambiente

40

C/W