GD200HFF120C8S, Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

S C

Corrente del collettore @ T C =25o C

@ T C =85o C

294

200

A

S CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

400

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T j =175o C

1056

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

V

S F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

200

A

S FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

400

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

S C =200A,V GE = 15V, T j =25o C

1.90

2.35

V

S C =200A,V GE = 15V, T j = 125o C

2.40

S C =200A,V GE = 15V, T j =150o C

2.55

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

S C =5.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

S CES

Collettore Tagliato -OFF

Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

S GES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

100

nA

Barra Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

3.75

ω

t d (su )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =200A, Barra G =0.75Ω,V GE =± 15V, T j =25o C

374

nS

t barra

Tempo di risalita

50

nS

t d (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

326

nS

t f

Tempo di caduta

204

nS

E su

Accendere Commutazione

Perdita

13.8

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

10.4

mJ

t d (su )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =200A, Barra G =0.75Ω,V GE =± 15V, T j = 125o C

419

nS

t barra

Tempo di risalita

63

nS

t d (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

383

nS

t f

Tempo di caduta

218

nS

E su

Accendere Commutazione

Perdita

20.8

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

11.9

mJ

t d (su )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =200A, Barra G =0.75Ω,V GE =± 15V, T j = 150o C

419

nS

t barra

Tempo di risalita

65

nS

t d (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

388

nS

t f

Tempo di caduta

222

nS

E su

Accendere Commutazione

Perdita

22.9

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

11.9

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

S F =200A,V GE =0V,T j =25o C

1.90

2.35

V

S F =200A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

S F =200A,V GE =0V,T j = 150o C

1.90

Q barra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

10.2

μC

S RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

90

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

3.40

mJ

Q barra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

26.2

μC

S RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

132

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

9.75

mJ

Q barra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

30.4

μC

S RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

142

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

11.3

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

26

nH

Barra CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.62

mΩ

Barra ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Connessione con il caso (per D) iodio)

0.142

0.202

C/W

Barra thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Cassa-sink (p) diodo)

Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.157

0.223

0.046

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Peso di Modulo

200

g