1200V 600A
Breve introduzione
Modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 600A.
Caratteristiche
Tipico Applicazioni
Assoluto Massimo Classificazioni T C = 25 o C a meno che altrimenti notato
IGBT
Il simbolo |
Descrizione |
Valore |
Unità |
V CES |
Tensione tra collettore ed emittente |
1200 |
V |
V GES |
Tensione del portatore-emittente |
±20 |
V |
Io C |
Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =100 o C |
1000 600 |
A |
Io CM |
Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms |
1200 |
A |
P P |
Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C |
3409 |
W |
Diodo
Il simbolo |
Descrizione |
Valore |
Unità |
V RRM |
Tensione inversa di picco ripetitiva |
1200 |
V |
Io F |
Diodo di continua curvatura anteriore affitto |
600 |
A |
Io FM |
Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms |
1200 |
A |
Modulo
Il simbolo |
Descrizione |
Valore |
Unità |
T jmax |
Temperatura massima di giunzione |
175 |
o C |
T - Giappone |
Temperatura di funzionamento della giunzione |
-40 a +150 |
o C |
T STG |
Temperatura di conservazione Autonomia |
-40 a +125 |
o C |
V ISO |
Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min |
4000 |
V |
IGBT Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
Unità |
V CE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione |
Io C =600A,V GE = 15V, T j = 25 o C |
|
1.70 |
2.05 |
V |
Io C =600A,V GE = 15V, T j = 125 o C |
|
1.95 |
|
|||
Io C =600A,V GE = 15V, T j = 150 o C |
|
2.00 |
|
|||
V GE (th ) |
Limita di emissione della porta Tensione |
Io C = 15.0mA,V CE =V GE , T j = 25 o C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
Io CES |
Collettore Taglio -OFF Corrente |
V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C |
|
|
1.0 |
mA |
Io GES |
Perforazione del portello Corrente |
V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Resistenza al cancello interno atteggiamento |
|
|
1.3 |
|
ω |
C ies |
Capacità di ingresso |
V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V |
|
62.1 |
|
nF |
C res |
Trasferimento inverso Capacità |
|
1.74 |
|
nF |
|
Q G |
Importo della porta |
V GE - Sì. 15…+15V |
|
4.62 |
|
μC |
t p (oN ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C =600A, R G =1.5Ω, V GE =± 15V, T j = 25 o C |
|
257 |
|
nS |
t r |
Tempo di risalita |
|
96 |
|
nS |
|
t p (oFF ) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
628 |
|
nS |
|
t f |
Tempo di caduta |
|
103 |
|
nS |
|
E oN |
Accendere Commutazione Perdita |
|
37.5 |
|
mJ |
|
E oFF |
Sconto di accensione Perdita |
|
51.5 |
|
mJ |
|
t p (oN ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C =600A, R G =1.5Ω, V GE =± 15V, T j = 125 o C |
|
268 |
|
nS |
t r |
Tempo di risalita |
|
107 |
|
nS |
|
t p (oFF ) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
659 |
|
nS |
|
t f |
Tempo di caduta |
|
144 |
|
nS |
|
E oN |
Accendere Commutazione Perdita |
|
53.5 |
|
mJ |
|
E oFF |
Sconto di accensione Perdita |
|
77.3 |
|
mJ |
|
t p (oN ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C =600A, R G =1.5Ω, V GE =± 15V, T j = 150 o C |
|
278 |
|
nS |
t r |
Tempo di risalita |
|
118 |
|
nS |
|
t p (oFF ) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
680 |
|
nS |
|
t f |
Tempo di caduta |
|
155 |
|
nS |
|
E oN |
Accendere Commutazione Perdita |
|
58.9 |
|
mJ |
|
E oFF |
Sconto di accensione Perdita |
|
82.4 |
|
mJ |
|
Io SC |
Dati SC |
t P ≤ 10 μs,V GE = 15V, T j = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V |
|
2400 |
|
A |
Diodo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
Unità |
V F |
Diodo di avanzamento Tensione |
Io F =600A,V GE =0V,T j = 25 o C |
|
1.65 |
2.10 |
V |
Io F =600A,V GE =0V,T j = 125o C |
|
1.65 |
|
|||
Io F =600A,V GE =0V,T j = 150o C |
|
1.65 |
|
|||
Q r |
Importo recuperato |
V CC = 600V,I F =600A, -di/dt=5000A/μs,V GE - Sì. 15 V, T j = 25 o C |
|
61.4 |
|
μC |
Io RM |
Verso il picco inverso Corrente di recupero |
|
280 |
|
A |
|
E ricerca |
Ritorno al recupero Energia |
|
20.9 |
|
mJ |
|
Q r |
Importo recuperato |
V CC = 600V,I F =600A, -di/dt=5000A/μs,V GE - Sì. 15 V, T j = 125o C |
|
114 |
|
μC |
Io RM |
Verso il picco inverso Corrente di recupero |
|
415 |
|
A |
|
E ricerca |
Ritorno al recupero Energia |
|
43.1 |
|
mJ |
|
Q r |
Importo recuperato |
V CC = 600V,I F =600A, -di/dt=5000A/μs,V GE - Sì. 15 V, T j = 150o C |
|
128 |
|
μC |
Io RM |
Verso il picco inverso Corrente di recupero |
|
443 |
|
A |
|
E ricerca |
Ritorno al recupero Energia |
|
50.0 |
|
mJ |
Modulo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Min. |
Tipo. |
Max. |
Unità |
L CE |
Induttanza di deflusso |
|
|
20 |
nH |
R CC+EE |
Resistenza di Contatto del Modulo nce, Terminale a Chip |
|
0.35 |
|
mΩ |
R ilJC |
Connessione con il caso (per IGB) T) Giunzione-a-Cassa (per Di odo) |
|
|
0.044 0.077 |
C/W |
R thCH |
Cassa-sink (per IGBT) Cassa-sink (p) diodo) Cassa-sink (per Modulo) |
|
0.031 0.055 0.010 |
|
C/W |
M |
Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
N.M |
G |
Peso di Modulo |
|
300 |
|
g |
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