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Modulo IGBT 1200V

Modulo IGBT 1200V

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GD600HFY120C2S,Modulo IGBT,STARPOWER

1200V 600A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD600HFY120C2S
  • Introduzione
  • Outline
Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 600A.

Caratteristiche

  • Bassa V CE (seduto ) Trincea IGBT tECNOLOGIA
  • 10 μs capacita' di cortocircuito ilità
  • V CE (seduto ) con positivo temperatura coefficiente
  • Massimo temperatura di giunzione 175o C
  • Induttanza bassa caso
  • Recupero inverso veloce e morbido fWD antiparallelo
  • Piastra di base in rame isolata usi ng tecnologia HPS DBC

Tipico Applicazioni

  • Invertitori per motori
  • Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
  • Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C

@ T C =100 o C

1000

600

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

1200

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C

3409

W

Diodo

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

600

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

1200

A

Modulo

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

IGBT Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C =600A,V GE = 15V, T j = 25 o C

1.70

2.05

V

Io C =600A,V GE = 15V, T j = 125 o C

1.95

Io C =600A,V GE = 15V, T j = 150 o C

2.00

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 15.0mA,V CE =V GE , T j = 25 o C

5.2

6.0

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j = 25 o C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

1.3

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

62.1

nF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

1.74

nF

Q G

Importo della porta

V GE - Sì. 15…+15V

4.62

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =600A, R G =1.5Ω,

V GE =± 15V, T j = 25 o C

257

nS

t r

Tempo di risalita

96

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

628

nS

t f

Tempo di caduta

103

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

37.5

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

51.5

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =600A, R G =1.5Ω,

V GE =± 15V, T j = 125 o C

268

nS

t r

Tempo di risalita

107

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

659

nS

t f

Tempo di caduta

144

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

53.5

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

77.3

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =600A, R G =1.5Ω,

V GE =± 15V, T j = 150 o C

278

nS

t r

Tempo di risalita

118

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

680

nS

t f

Tempo di caduta

155

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

58.9

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

82.4

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE = 15V,

T j = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Diodo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F =600A,V GE =0V,T j = 25 o C

1.65

2.10

V

Io F =600A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

Io F =600A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

Q r

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =600A,

-di/dt=5000A/μs,V GE - Sì. 15 V, T j = 25 o C

61.4

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

280

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

20.9

mJ

Q r

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =600A,

-di/dt=5000A/μs,V GE - Sì. 15 V, T j = 125o C

114

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

415

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

43.1

mJ

Q r

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =600A,

-di/dt=5000A/μs,V GE - Sì. 15 V, T j = 150o C

128

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

443

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

50.0

mJ

Modulo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

R CC+EE

Resistenza di Contatto del Modulo nce, Terminale a Chip

0.35

R ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.044

0.077

C/W

R thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Cassa-sink (p) diodo)

Cassa-sink (per Modulo)

0.031

0.055

0.010

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g

Outline

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