GD400HTX120P6HL,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

ICN

Collettore Cu implementato renta

400

A

IC

Corrente del collettore @ T F =100o C

250

A

ICm

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

800

A

PD

Massima dissipazione di potenza ation @ T F =75o C T j =175o C

862

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

V RRM

Pico ripetitivo volta inversa gE

1200

V

IFN

Collettore Cu implementato renta

400

A

IF

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

250

A

IFM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

800

A

I2t

I2valore t, t p =10ms @ T j =125o C @ T j =150o C

17860

15664

A2s

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione continua

Per 10s all'interno di un periodo di 30s, occorrenza massimo 3000 volte durante la vita me

-40 a +150 +150 a +175

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 mIN

3000

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

IC=250A,V GE = 15V, T j =25o C

1.45

1.80

V

IC=250A,V GE = 15V, T j =125o C

1.65

IC=250A,V GE = 15V, T j =150o C

1.70

IC=380A,V GE = 15V, T j =25o C

1.70

IC=380A,V GE = 15V, T j =150o C

2.15

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=9.75mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza interna della porta

2.4

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V

33.6

nF

C- Non

Capacità di uscita

1.43

nF

Cres

Trasferimento inverso Capacità

0.82

nF

QG

Importo della porta

V CE = 600V,I C =250A, V GE =-8... +15V

1.98

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C= 250 A, Barra G= 2,2Ω, LS =24nH ,V GE =-8V/+15V,

T j =25o C

231

nS

t barra

Tempo di risalita

50

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

545

nS

t f

Tempo di caduta

172

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

19.6

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

23.2

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C= 250 A, Barra G= 2,2Ω, LS =24nH ,V GE =-8V/+15V,

T j =125o C

241

nS

t barra

Tempo di risalita

57

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

619

nS

t f

Tempo di caduta

247

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

26.6

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

28.7

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C= 250 A, Barra G= 2,2Ω, LS =24nH ,V GE =-8V/+15V,

T j =150o C

245

nS

t barra

Tempo di risalita

57

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

641

nS

t f

Tempo di caduta

269

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

30.1

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

30.9

mJ

ISC

Dati SC

t P≤6μs, V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1200

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V F

Diodo di avanzamento Tensione

IF =250A,V GE =0V,T j =25o C

1.50

1.90

V

IF =250A,V GE =0V,T j =125o C

1.45

IF =250A,V GE =0V,T j =150o C

1.40

IF =380A,V GE =0V,T j =25o C

1.65

IF =380A,V GE =0V,T j =150o C

1.60

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F = 250 A,

-di/dt=4860A/μs,V GE =-8V LS =24nH ,T j =25o C

9.10

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

160

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

4.39

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F = 250 A,

- di/dt=4300A/μs,V GE =-8V LS =24nH ,T j =125o C

21.4

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

192

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

8.43

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F = 250 A,

-di/dt=4120A/μs,V GE =-8V LS =24nH ,T j =150o C

25.7

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

203

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

9.97

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

Barra 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di Barra 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

LCE

Induttanza di deflusso

8

nH

Barra CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.75

mΩ

△p

△V/ △t=10.0 dm 3/mIN ,T F =75o C

64

mbar

p

Pressione massima in circolo di raffreddamento cuo

2.5

barra

Barra thJF

Giunti -a -Raffreddamento In acqua fredda (perIGBT )Giunzione-a-Fluido di Raffreddamento (per D iodio)

0.098 0.128

0.116 0.150

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Peso di Modulo

750

g