GD800HFA120C2S_B20 ,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

Tensione transitorio del portatore-emettitore

±20 ±30

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C = 95 o C

1280

800

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

1600

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T vj = 175 o C

3191

W

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1200

V

Io F

Corrente continua in avanti del diodo ent

800

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

1600

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +175

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C = 800 A, V GE = 15V, T vj = 25 o C

1.30

1.75

V

Io C = 800 A, V GE = 15V, T vj = 125 o C

1.45

Io C = 800 A, V GE = 15V, T vj = 150 o C

1.50

Io C = 800 A, V GE = 15V, T vj = 175 o C

1.55

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =32.0 mA ,V CE = V GE , T vj = 25 o C

5.5

6.1

7.0

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj = 25 o C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza interna della porta

0.38

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V

156

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

1.10

nF

Q G

Importo della porta

V GE =-8... +15V

10.3

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 800A, R G =1.2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj = 25 o C

338

nS

t r

Tempo di risalita

174

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

1020

nS

t f

Tempo di caduta

100

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

65.2

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

88.8

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 800A, R G =1.2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj = 125 o C

398

nS

t r

Tempo di risalita

203

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

1140

nS

t f

Tempo di caduta

183

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

96.6

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

109

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 800A, R G =1.2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj = 150 o C

413

nS

t r

Tempo di risalita

213

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

1140

nS

t f

Tempo di caduta

195

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

105

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

113

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 800A, R G =1.2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj = 175 o C

419

nS

t r

Tempo di risalita

223

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

1142

nS

t f

Tempo di caduta

205

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

110

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

115

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤8μs, V GE = 15V,

T vj = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

3300

A

Io SC

Dati SC

t P ≤6μs, V GE = 15V,

T vj = 175 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

3000

A

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F = 800 A, V GE =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V

Io F = 800 A, V GE =0V,T vj = 125 o C

1.85

Io F = 800 A, V GE =0V,T vj = 150 o C

1.85

Io F = 800 A, V GE =0V,T vj = 175 o C

1.85

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 800A,

-di/dt=5510A/μs,V GE = 8V, T vj = 25 o C

28.6

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

311

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

13.9

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 800A,

-di/dt=4990A/μs,V GE = 8V, T vj = 125 o C

56.8

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

378

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

23.7

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 800A,

-di/dt=4860A/μs,V GE = 8V, T vj = 150 o C

66.3

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

395

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

26.7

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 800A,

-di/dt=4790A/μs,V GE = 8V, T vj = 175 o C

72.1

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

403

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

28.6

mJ

Il simbolo

Parametri

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

R CC+EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.42

mΩ

R ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT ) Connessione con il caso (per D) iodio)

0.047 0.083

C/W

R thCH

Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.031 0.055 0.010

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Peso di Modulo

320

g