GD800HFA120C2S_B20 ,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

Tensione transitorio del portatore-emettitore

±20 ±30

V

S C

Corrente del collettore @ T C =25o C @ T C =95o C

1280

800

A

S CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

1600

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T vj =175o C

3191

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1200

V

S F

Corrente continua in avanti del diodo ent

800

A

S FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

1600

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +175

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

S C = 800 A, V GE = 15V, T vj =25o C

1.30

1.75

V

S C = 800 A, V GE = 15V, T vj =125o C

1.45

S C = 800 A, V GE = 15V, T vj =150o C

1.50

S C = 800 A, V GE = 15V, T vj =175o C

1.55

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

S C =32.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.5

6.1

7.0

V

S CES

Collettore Tagliato -OFF Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

S GES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza interna della porta

0.38

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V

156

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

1.10

nF

Q G

Importo della porta

V GE =-8... +15V

10.3

μC

t d (su )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 800A, Barra G =1.2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =25o C

338

nS

t barra

Tempo di risalita

174

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

1020

nS

t f

Tempo di caduta

100

nS

E su

Accendere Commutazione Perdita

65.2

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

88.8

mJ

t d (su )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 800A, Barra G =1.2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =125o C

398

nS

t barra

Tempo di risalita

203

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

1140

nS

t f

Tempo di caduta

183

nS

E su

Accendere Commutazione Perdita

96.6

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

109

mJ

t d (su )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 800A, Barra G =1.2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =150o C

413

nS

t barra

Tempo di risalita

213

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

1140

nS

t f

Tempo di caduta

195

nS

E su

Accendere Commutazione Perdita

105

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

113

mJ

t d (su )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 800A, Barra G =1.2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =175o C

419

nS

t barra

Tempo di risalita

223

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

1142

nS

t f

Tempo di caduta

205

nS

E su

Accendere Commutazione Perdita

110

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

115

mJ

S SC

Dati SC

t P ≤8μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

3300

A

S SC

Dati SC

t P ≤6μs, V GE = 15V,

T vj =175o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

3000

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

S F = 800 A, V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

S F = 800 A, V GE =0V,T vj =125o C

1.85

S F = 800 A, V GE =0V,T vj =150o C

1.85

S F = 800 A, V GE =0V,T vj =175o C

1.85

Q barra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F = 800A,

-di/dt=5510A/μs,V GE = 8V, T vj =25o C

28.6

μC

S RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

311

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

13.9

mJ

Q barra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F = 800A,

-di/dt=4990A/μs,V GE = 8V, T vj =125o C

56.8

μC

S RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

378

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

23.7

mJ

Q barra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F = 800A,

-di/dt=4860A/μs,V GE = 8V, T vj =150o C

66.3

μC

S RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

395

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

26.7

mJ

Q barra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F = 800A,

-di/dt=4790A/μs,V GE = 8V, T vj =175o C

72.1

μC

S RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

403

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

28.6

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

Barra CC+EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.42

mΩ

Barra ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT ) Connessione con il caso (per D) iodio)

0.047 0.083

C/W

Barra thCH

Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.031 0.055 0.010

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Peso di Modulo

320

g