Breve introduzione
Modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 400A.
Caratteristiche
- Tecnologia NPT IGBT
- capacità di cortocircuito di 10 μs
- Basse perdite di cambio
- VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
- Cassa a bassa induttanza
- FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
- Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC
Tipico Applicazioni
- Fornitore di alimentazione in modalità di commutazione
- Calore induttivo
- Saldatrici elettroniche
Assoluto Massimo Classificazioni T C = 25 o C a meno che altrimenti notato
IGBT
Il simbolo |
Descrizione |
Valore |
Unità |
VCES |
Tensione tra collettore ed emittente |
1200 |
V |
VGES |
Tensione del portatore-emittente |
±20 |
V |
Ic |
Corrente Collettore @ TC=25oC
@ TC=70oC
|
549
400
|
A |
MIC |
Corrente Collettore Impulsata tp=1ms |
800 |
A |
PD |
Massima dissipazione di potenza @ T =150oC |
2659 |
W |
Diodo
Il simbolo |
Descrizione |
Valore |
Unità |
VRRM |
Tensione inversa di picco ripetitiva |
1200 |
V |
IF |
Diodo di corrente continua in avanti |
400 |
A |
IFM |
Corrente Massima in Avanti del Diodo tp=1ms |
800 |
A |
Modulo
Il simbolo |
Descrizione |
Valore |
Unità |
Tjmax |
Temperatura massima di giunzione |
150 |
oC |
- Non lo so. |
Temperatura di funzionamento della giunzione |
-40 a +125 |
oC |
TSTG |
Intervallo di temperatura di conservazione |
-40 a +125 |
oC |
VISO |
Il tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min |
2500 |
V |
IGBT Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametri |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
Unità |
|
V CE (sat)
|
Collettore all'emittente
Tensione di saturazione
|
Io C = 400 A,V GE = 15V, T j = 25 o C |
|
2.90 |
3.35 |
V
|
Io C = 400 A,V GE = 15V, T j = 125 o C |
|
3.60 |
|
V GE (th ) |
Limita di emissione della porta Tensione |
Io C = 16,0 mA,V CE =V GE , T j = 25 o C |
4.5 |
5.5 |
6.5 |
V |
Io CES |
Collettore Taglio -OFF
Corrente
|
V CE = V CES ,V GE =0V,
T j = 25 o C
|
|
|
5.0 |
mA |
Io GES |
Perforazione del portello Corrente |
V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Resistenza al cancello interno atteggiamento |
|
|
0.6 |
|
ω |
C ies |
Capacità di ingresso |
V CE = 25V, f=1MHz,
V GE =0V
|
|
26.0 |
|
nF |
C res |
Trasferimento inverso
Capacità
|
|
1.70 |
|
nF |
Q G |
Importo della porta |
V GE - Sì. 15…+15V |
|
4.2 |
|
μC |
t p (oN ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C = 400A, R G = 2,2Ω,
V GE =± 15V, T j = 25 o C
|
|
76 |
|
nS |
t r |
Tempo di risalita |
|
57 |
|
nS |
t p (oFF ) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
529 |
|
nS |
t f |
Tempo di caduta |
|
73 |
|
nS |
E oN |
Accendere Commutazione
Perdita
|
|
5.2 |
|
mJ |
E oFF |
Sconto di accensione
Perdita
|
|
23.2 |
|
mJ |
t p (oN ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C = 400A, R G = 2,2Ω,
V GE =± 15V, T j = 125o C
|
|
81 |
|
nS |
t r |
Tempo di risalita |
|
62 |
|
nS |
t p (oFF ) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
567 |
|
nS |
t f |
Tempo di caduta |
|
81 |
|
nS |
E oN |
Accendere Commutazione
Perdita
|
|
9.9 |
|
mJ |
E oFF |
Sconto di accensione
Perdita
|
|
31.7 |
|
mJ |
|
Io SC
|
Dati SC
|
t P ≤ 10 μs,V GE = 15V,
T j = 125 o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V
|
|
2800
|
|
A
|
Diodo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametri |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
Unità |
V F |
Diodo di avanzamento
Tensione
|
Io F = 400 A,V GE =0V,T j = 25 o C |
|
1.96 |
2.31 |
V |
Io F = 400 A,V GE =0V,T j = 125o C |
|
1.98 |
|
Q r |
Importo recuperato |
V R = 600V,I F = 400A,
- di/dt=6000A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 25 o C
|
|
24.9 |
|
μC |
Io RM |
Verso il picco inverso
Corrente di recupero
|
|
317 |
|
A |
E ricerca |
Ritorno al recupero Energia |
|
16.0 |
|
mJ |
Q r |
Importo recuperato |
V R = 600V,I F = 400A,
- di/dt=6000A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 125o C
|
|
35.5 |
|
μC |
Io RM |
Verso il picco inverso
Corrente di recupero
|
|
391 |
|
A |
E ricerca |
Ritorno al recupero Energia |
|
21.4 |
|
mJ |
Modulo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametri |
Min. |
Tipo. |
Max. |
Unità |
L CE |
Induttanza di deflusso |
|
|
20 |
nH |
R CC+EE |
Resistenza di Contatto del Modulo nce, Terminale a Chip |
|
0.18 |
|
mΩ |
R ilJC |
Connessione con il caso (per IGB) T)
Giunzione-a-Cassa (per Di odo)
|
|
|
0.047
0.100
|
C/W |
|
R thCH
|
Cassa-sink (per IGBT)
Caso-a-Radiatore (pe r Diode)
Caso-a-Radiatore (per M odulo)
|
|
0.015
0.031
0.010
|
|
C/W |
M |
Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6 |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
N.M |
G |
Peso di Modulo |
|
300 |
|
g |
EN
