H50ZYG, Diodo a Recupero Morbido

Io _T(AV)

700A

V _RRM

4000V 4200V

di potenza superiore a 50 kVA

Il simbolo

Caratteristica

Condizioni di prova

Tj( ℃ )

Valore

Unità

Min

TIPO

Max

IF(AV)

Corrente media diretta

180° mezza onda sinusoidale 50Hz Raffreddato su entrambi i lati

TC=70 ℃

125

700

A

VRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

tp=10ms

125

4000

4500

V

IRRM

Corrente di picco ripetitiva

a VRRM

125

100

mA

IFSM

Corrente di picco in avanti

10ms onda sinusoidale mezza VR=0

125

16

kA

I2t

I2t per coordinazione fusibile

1280

10³A ²s

VFO

Voltaggio di soglia

125

1.70

V

rF

Resistenza di pendenza in avanti

0.98

mΩ

VFM

Tensione di picco in avanti

IFM=2000A, F=24kN

25

3.80

V

IRM

Corrente di recupero inversa

ITM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-60A/µs, VR=100V

125

610

A

trr

Tempo di recupero inverso

7.0

μs

Qrr

Tassa di recupero

1500

μC

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

A 180 ° sinusoidale, raffreddato a doppio lato Forza di serraggio 24kN

0.020

℃ /W

Rth(c-h)

Resistenza termica case a dissipatore

0.005

FM

Forza di montaggio

19

26

kN

Tvj

Temperatura di giunzione

-40

125

℃

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

140

℃

Wt

Peso

440

g

Outline

ZT50cT