MZ100, Modulo di Diode a Recupero Rapido, TECHSEM

VRRM

Tipo e contorno

600V

MZ100-06-210F2NA

MZ100-06-210F2NK

800V

MZ100-08-210F2NA

MZ100-08-210F2NK

1000V

MZ100-10-210F2NA

MZ100-10-210F2NK

1200V

MZ100-12-210F2NA

MZ100-12-210F2NK

1400V

MZ100-14-210F2NA

MZ100-14-210F2NK

1600V

MZ100-16-210F2NA

MZ100-16-210F2NK

1800V

MZ100-18-210F2NA

MZ100-18-210F2NK

Il simbolo

Caratteristica

Condizioni di prova

Tj( ℃ )

Valore

Unità

Min

TIPO

Max

IF(AV)

Corrente media diretta

180° mezza onda sinusoidale 50Hz

Raffreddato da un lato, TC= 100 ℃

140

100

A

IF (RMS)

Corrente diretta RMS

157

A

IRRM

Corrente di picco ripetitiva

a VRRM

140

30

mA

IFSM

Corrente di picco in avanti

10ms onda sinusoidale metà VR=0.6VRRM

140

3.5

kA

I2t

I2t per coordinazione fusibile

61

A ²s* 10 ³

VFO

Voltaggio di soglia

140

1.05

V

rF

Resistenza di pendenza in avanti

1.80

mΩ

VFM

Tensione di picco in avanti

IFM=300A

25

1.90

V

trr

Tempo di recupero inverso

IFM=200A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR= 100V

140

4

μs

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

Raffreddato da un lato per chip

0.200

℃ /W

Rth(c-h)

Resistenza termica case a dissipatore

Raffreddato da un lato per chip

0.080

℃ /W

FM

Coppia di collegamento terminale (M6)

6.0

N·m

Coppia di montaggio (M6)

6.0

N·m

Tvj

Temperatura di giunzione

-40

140

℃

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

125

℃

Wt

Peso

185

g

Outline

210F2