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Modulo IGBT 1200V

Modulo IGBT 1200V

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GD400CUX120C2S, Modulo IGBT, STARPOWER

Modulo IGBT, 1200V 400A, Confezione:C2

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD400CUX120C2S
  • Introduzione
  • Outline
Introduzione

Introduzione sintetica

Modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo .1200V 400A. - Sì.

Caratteristiche

  • Tecnologia NPT IGBT
  • capacità di cortocircuito di 10 μs
  • Basse perdite di cambio
  • VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

  • Invertitori per motori
  • Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
  • Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni T F =25o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

IC

Corrente del collettore @ T C=25o C @ T C=100o C

636

400

A

ICm

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

800

A

PD

Dissipation di potenza massima @ T vj =175o C

2083

A

Diodo

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1200

V

IF

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

400

A

IFM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

800

A

Modulo

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min

2500

V

IGBT Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

IC= 400 A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.75

2.20

V

IC= 400 A,V GE = 15V, T vj =125o C

2.00

IC= 400 A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.05

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=14.4mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

0.5

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

37.3

nF

Cres

Trasferimento inverso Capacità

1.04

nF

QG

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

2.80

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C= 400A, Barra G=2.0Ω, L S =50nH ,V GE =±15V, T vj =25o C

223

nS

t barra

Tempo di risalita

49

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

334

nS

t f

Tempo di caduta

190

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

17.9

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

28.7

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C= 400A, Barra G=2.0Ω, L S =50nH ,V GE =±15V, T vj =125o C

230

nS

t barra

Tempo di risalita

54

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

385

nS

t f

Tempo di caduta

300

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

29.4

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

41.2

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C= 400A, Barra G=2.0Ω, L S =50nH ,V GE =±15V, T vj =150o C

228

nS

t barra

Tempo di risalita

57

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

393

nS

t f

Tempo di caduta

315

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

32.3

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

42.9

mJ

ISC

Dati SC

t P≤10μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

Diodo Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V F

Diodo di avanzamento Tensione

IF = 400 A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF = 400 A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF = 400 A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F = 400A,

-di/dt=8030A/μs, L S =50nH, V GE = 15 V, T vj =25o C

33.6

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

374

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

13.6

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F = 400A,

-di/dt=7030A/μs, L S =50nH, V GE = 15 V, T vj =125o C

67.5

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

446

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

28.2

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F = 400A,

-di/dt=6880A/μs, L S =50nH, V GE = 15 V, T vj =150o C

75.5

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

452

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

31.4

mJ

Modulo Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

LCE

Induttanza di deflusso

20

nH

Barra CC+EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.35

Barra ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT ) Connessione con il caso (per D) iodio)

0.072 0.113

C/W

Barra thCH

Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.023 0.036 0.010

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g

Outline

image(c3756b8d25).png

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