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Modulo IGBT 1200V

Modulo IGBT 1200V

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GD400CUX120C2S, Modulo IGBT, STARPOWER

Modulo IGBT, 1200V 400A, Confezione:C2

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD400CUX120C2S
  • Introduzione
  • Outline
Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1200V 400A. - Sì.

Caratteristiche

  • Tecnologia NPT IGBT
  • capacità di cortocircuito di 10 μs
  • Basse perdite di cambio
  • VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

  • Invertitori per motori
  • Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
  • Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =100 o C

636

400

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

800

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T vj = 175 o C

2083

W

Diodo

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1200

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

400

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

800

A

Modulo

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min

2500

V

IGBT Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C = 400 A,V GE = 15V, T vj = 25 o C

1.75

2.20

V

Io C = 400 A,V GE = 15V, T vj = 125 o C

2.00

Io C = 400 A,V GE = 15V, T vj = 150 o C

2.05

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =14.4 mA ,V CE = V GE , T vj = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj = 25 o C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

0.5

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

37.3

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

1.04

nF

Q G

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

2.80

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A, R G =2.0Ω, L S =50nH , V GE =±15V, T vj = 25 o C

223

nS

t r

Tempo di risalita

49

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

334

nS

t f

Tempo di caduta

190

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

17.9

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

28.7

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A, R G =2.0Ω, L S =50nH , V GE =±15V, T vj = 125 o C

230

nS

t r

Tempo di risalita

54

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

385

nS

t f

Tempo di caduta

300

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

29.4

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

41.2

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A, R G =2.0Ω, L S =50nH , V GE =±15V, T vj = 150 o C

228

nS

t r

Tempo di risalita

57

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

393

nS

t f

Tempo di caduta

315

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

32.3

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

42.9

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

T vj = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

Diodo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F = 400 A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V

Io F = 400 A,V GE =0V,T vj = 125 o C

1.90

Io F = 400 A,V GE =0V,T vj = 150 o C

1.95

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 400A,

-di/dt=8030A/μs, L S =50nH, V GE = 15 V, T vj = 25 o C

33.6

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

374

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

13.6

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 400A,

-di/dt=7030A/μs, L S =50nH, V GE = 15 V, T vj = 125 o C

67.5

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

446

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

28.2

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 400A,

-di/dt=6880A/μs, L S =50nH, V GE = 15 V, T vj = 150 o C

75.5

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

452

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

31.4

mJ

Modulo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

R CC+EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.35

R ilJC

Giunti -to -Caso (perIGBT ) Connessione con il caso (per D) iodio)

0.072 0.113

C/W

R thCH

Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.023 0.036 0.010

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g

Outline

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