Introduzione breve
Modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 400A.
Caratteristiche
- Tecnologia NPT IGBT
- capacità di cortocircuito di 10 μs
- Basse perdite di cambio
- Robusto con prestazioni ultra veloci
- VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
- FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
- Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC
Tipico Applicazioni
- Fornitore di alimentazione in modalità di commutazione
- Calore induttivo
- Saldatrici elettroniche
Assoluto Massimo Classificazioni T C=25o C a meno che altrimenti notato
IGBT
Il simbolo |
DESCRIZIONE |
Valore |
UNITÀ |
V CES |
Tensione tra collettore ed emittente |
1200 |
V |
V GES |
Tensione del portatore-emittente |
±20 |
V |
IC |
Corrente del collettore @ T C=25o C
@ T C=60o C
|
505
400
|
A |
ICm |
Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms |
800 |
A |
PD |
Dissipation di potenza massima @ T j =150o C |
2358 |
A |
Diodo
Il simbolo |
DESCRIZIONE |
Valore |
UNITÀ |
V RRM |
Tensione inversa di picco ripetitiva |
1200 |
V |
IF |
Diodo di continua curvatura anteriore affitto |
400 |
A |
IFM |
Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms |
800 |
A |
Modulo
Il simbolo |
DESCRIZIONE |
Valore |
UNITÀ |
T jmax |
Temperatura massima di giunzione |
150 |
o C |
T - Giappone |
Temperatura di funzionamento della giunzione |
-40 a +125 |
o C |
T STG |
Temperatura di stoccaggio Autonomia |
-40 a +125 |
o C |
V ISO |
Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 mIN |
2500 |
V |
IGBT Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
UNITÀ |
|
V CE (sat)
|
Collettore all'emittente
Tensione di saturazione
|
IC= 400 A,V GE = 15V, T j =25o C |
|
2.90 |
3.35 |
V
|
IC= 400 A,V GE = 15V, T j =125o C |
|
3.60 |
|
V GE (th) |
Limita di emissione della porta Tensione |
IC=4.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C |
5.0 |
5.8 |
6.6 |
V |
ICES |
Collettore Tagliato -OFF
Corrente
|
V CE =V CES ,V GE =0V,
T j =25o C
|
|
|
5.0 |
mA |
IGES |
Perforazione del portello Corrente |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
Barra Gint |
Resistenza al cancello interno atteggiamento |
|
|
0.5 |
|
ω |
Cies |
Capacità di ingresso |
V CE = 25V, f=1MHz,
V GE =0V
|
|
26.2 |
|
nF |
Cres |
Trasferimento inverso
Capacità
|
|
1.68 |
|
nF |
DG |
Importo della porta |
V GE =- 15…+15V |
|
4.18 |
|
μC |
t d (attivo ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C= 400A, Barra G=2.4Ω,
V GE =± 15V, T j =25o C
|
|
337 |
|
nS |
t barra |
Tempo di risalita |
|
88 |
|
nS |
t d (oFF ) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
460 |
|
nS |
t f |
Tempo di caduta |
|
116 |
|
nS |
Eattivo |
Accendere Commutazione
Perdita
|
|
21.2 |
|
mJ |
EoFF |
Sconto di accensione
Perdita
|
|
19.4 |
|
mJ |
t d (attivo ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C= 400A, Barra G=2.4Ω,
V GE =± 15V, T j = 125o C
|
|
359 |
|
nS |
t barra |
Tempo di risalita |
|
90 |
|
nS |
t d (oFF ) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
492 |
|
nS |
t f |
Tempo di caduta |
|
128 |
|
nS |
Eattivo |
Accendere Commutazione
Perdita
|
|
29.4 |
|
mJ |
EoFF |
Sconto di accensione
Perdita
|
|
26.0 |
|
mJ |
|
ISC
|
Dati SC
|
t P≤ 10 μs,V GE = 15V,
T j =125o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V
|
|
2400
|
|
A
|
Diodo Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
UNITÀ |
V F |
Diodo di avanzamento
Tensione
|
IF = 400 A,V GE =0V,T j =25o C |
|
2.00 |
2.45 |
V |
IF = 400 A,V GE =0V,T j = 125o C |
|
2.10 |
|
Dbarra |
Importo recuperato |
V CC = 600V,I F = 400A,
- di/dt=2840A/μs,V GE =± 15V, T j =25o C
|
|
27.0 |
|
μC |
IRM |
Verso il picco inverso
Corrente di recupero
|
|
280 |
|
A |
Ericerca |
Ritorno al recupero Energia |
|
16.6 |
|
mJ |
Dbarra |
Importo recuperato |
V CC = 600V,I F = 400A,
- di/dt=2840A/μs,V GE =± 15V, T j = 125o C
|
|
46.0 |
|
μC |
IRM |
Verso il picco inverso
Corrente di recupero
|
|
380 |
|
A |
Ericerca |
Ritorno al recupero Energia |
|
30.0 |
|
mJ |
Modulo Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Min. |
Tipo. |
Max. |
UNITÀ |
Barra ilJC |
Connessione con il caso (per IGB) T)
Connessione con il caso (per D) iodio)
|
|
|
0.053
0.103
|
C/W |
|
Barra thCH
|
Cassa-sink (per IGBT)
Cassa-sink (p) diodo)
Cassa-sink (per Modulo)
|
|
0.048
0.094
0.032
|
|
C/W |
M |
Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6 |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
N.M |
G |
Peso di Modulo |
|
350 |
|
g |
EN
