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Il simbolo
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Caratteristica
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Condizioni di prova
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Tj(℃ ) |
Valore |
Unità
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Min |
TIPO |
Max |
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IT(AV)
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Corrente media in stato di accensione |
180° mezza onda sinusoidale 50Hz Raffreddato su entrambi i lati |
TC=70 ℃
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115
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1000
|
A
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Idrm Irrm |
Corrente di picco ripetitiva |
a VDRM tp= 10ms a VRRM tp= 10ms |
115 |
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600 |
mA |
ITSM |
Corrente di sovratensione in stato di accensione |
10ms onda sinusoidale metà VR=0.6VRRM |
115
|
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10.5 |
kA |
I2t |
I2t per coordinazione fusibile |
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551 |
103A2s |
VTO |
Voltaggio di soglia |
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115
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1.38 |
V |
rT |
Resistenza di pendenza in stato di accensione |
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0.90 |
mΩ |
VTM |
Tensione di picco in stato di accensione |
ITM= 1500A, F=32kN |
25 |
|
|
2.80 |
V |
dv/dt |
Tasso critico di aumento della tensione in stato di off |
VDM=0.67VDRM |
115 |
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2000 |
V/μs |
di/dt |
Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento |
VDM=67%VDRM,
Impulso di gate tr ≤0.5μs IGM= 1.5A
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115 |
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200 |
A/μs |
Qrr |
Tassa di recupero |
ITM=2000A,tp=4000μs, di/dt=-5A/μs, VR=50V |
115 |
|
3800 |
|
μC |
IGT |
Corrente di attivazione del gate |
VA= 12V, IA= 1A
|
25
|
40 |
|
300 |
mA |
Vgt |
Tensione di attivazione del gate |
0.8 |
|
3.0 |
V |
IH |
Corrente di mantenimento |
25 |
|
200 |
mA |
VGD |
Tensione di gate non attivata |
VDM=67%VDRM |
115 |
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0.3 |
V |
Rth(j-c) |
Resistenza termica Giunzione a custodia |
Raffreddamento doppio a immersione Forza di serraggio 32kN |
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0.011 |
℃ /W
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Rth(c-h) |
Resistenza termica case a dissipatore |
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|
0.003 |
FM |
Forza di montaggio |
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27 |
32 |
34 |
kN |
Tvj |
Temperatura di giunzione |
|
|
-40 |
|
115 |
℃ |
TSTG |
Temperatura di immagazzinamento |
|
|
-40 |
|
140 |
℃ |
Wt |
Peso |
|
|
|
1140 |
|
g |
Outline |
KT60dT |
EN
