Introduzione sintetica
Modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1700V 225A.
Caratteristiche
Bassa V CE (seduto ) Trincea IGBT tecnologia
10 μs capacita' di cortocircuito ilità
V CE (seduto ) con positivo temperatura coefficiente
Massimo temperatura di giunzione 175o C
Induttanza bassa caso
Recupero inverso veloce e morbido fWD antiparallelo
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC
Tipico Applicazioni
Invertitori per motori d riva
Corrente alternata e corrente continua servo trazione amplificatore
Potenza ininterrotta barra fornitura
Assoluto Massimo Classificazioni T C=25o C a meno che altrimenti notato
IGBT
Il simbolo |
DESCRIZIONE |
Valore |
UNITÀ |
V CES |
Tensione tra collettore ed emittente |
1700 |
V |
V GES |
Tensione del portatore-emittente |
±20 |
V |
IC |
Corrente del collettore @ T C=25o C
@ T C= 100o C
|
396
225
|
A |
ICm |
Corrente Collettore a Impulso t p = 1 millisecondo |
450 |
A |
PD |
Dissipation di potenza massima @ T j =175o C |
1530 |
A |
Diodo
Il simbolo |
DESCRIZIONE |
Valore |
UNITÀ |
V RRM |
Tensione inversa di picco ripetitiva |
1700 |
V |
IF |
Diodo di continua curvatura anteriore affitto |
225 |
A |
IFM |
Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms |
450 |
A |
Modulo
Il simbolo |
DESCRIZIONE |
Valore |
UNITÀ |
T jmax |
Temperatura massima di giunzione |
175 |
o C |
T - Giappone |
Temperatura di funzionamento della giunzione |
-40 a +150 |
o C |
T STG |
Temperatura di stoccaggio Autonomia |
-40 a +125 |
o C |
V ISO |
Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 mIN |
4000 |
V |
IGBT Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
UNITÀ |
|
V CE (sat)
|
Collettore all'emittente
Tensione di saturazione
|
IC=225A,V GE = 15V, T j =25o C |
|
1.85 |
2.20 |
V
|
IC=225A,V GE = 15V, T j =125o C |
|
2.25 |
|
IC=225A,V GE = 15V, T j =150o C |
|
2.35 |
|
V GE (th) |
Limita di emissione della porta Tensione |
IC=9.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
ICES |
Collettore Tagliato -OFF
Corrente
|
V CE =V CES ,V GE =0V,
T j =25o C
|
|
|
5.0 |
mA |
IGES |
Perforazione del portello Corrente |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
Barra Gint |
Resistenza al cancello interno atteggiamento |
|
|
2.8 |
|
ω |
Cies |
Capacità di ingresso |
V CE = 25V, f=1MHz,
V GE =0V
|
|
27.1 |
|
nF |
Cres |
Trasferimento inverso
Capacità
|
|
0.66 |
|
nF |
QG |
Importo della porta |
V GE =- 15…+15V |
|
2.12 |
|
μC |
t d (attivo ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC =900V,I C=225A, Barra Gon =3.3Ω, Barra Goff =6.2Ω, V GE =± 15V,
T j =25o C
|
|
187 |
|
nS |
t barra |
Tempo di risalita |
|
76 |
|
nS |
t d (oFF ) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
587 |
|
nS |
t f |
Tempo di caduta |
|
350 |
|
nS |
Eattivo |
Accendere Commutazione
Perdita
|
|
56.1 |
|
mJ |
EoFF |
Sconto di accensione
Perdita
|
|
52.3 |
|
mJ |
t d (attivo ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC =900V,I C=225A, Barra Gon =3.3Ω, Barra Goff =6.2Ω, V GE =± 15V,
T j = 125o C
|
|
200 |
|
nS |
t barra |
Tempo di risalita |
|
85 |
|
nS |
t d (oFF ) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
693 |
|
nS |
t f |
Tempo di caduta |
|
662 |
|
nS |
Eattivo |
Accendere Commutazione
Perdita
|
|
75.9 |
|
mJ |
EoFF |
Sconto di accensione
Perdita
|
|
80.9 |
|
mJ |
t d (attivo ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC =900V,I C=225A, Barra Gon =3.3Ω, Barra Goff =6.2Ω, V GE =± 15V,
T j = 150o C
|
|
208 |
|
nS |
t barra |
Tempo di risalita |
|
90 |
|
nS |
t d (oFF ) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
704 |
|
nS |
t f |
Tempo di caduta |
|
744 |
|
nS |
Eattivo |
Accendere Commutazione
Perdita
|
|
82.8 |
|
mJ |
EoFF |
Sconto di accensione
Perdita
|
|
87.7 |
|
mJ |
|
ISC
|
Dati SC
|
t P≤ 10 μs,V GE = 15V,
T j =150o C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V
|
|
900
|
|
A
|
Diodo Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
Unità |
|
V F
|
Diodo di avanzamento
Tensione
|
IF =225A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.80 |
2.25 |
V
|
IF =225A,V GE =0V,T j = 125o C |
|
1.90 |
|
IF =225A,V GE =0V,T j = 150o C |
|
1.95 |
|
Qbarra |
Importo recuperato |
V Barra =900V,I F =225A,
-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V T j =25o C
|
|
63.0 |
|
μC |
IRM |
Verso il picco inverso
Corrente di recupero
|
|
352 |
|
A |
Ericerca |
Ritorno al recupero Energia |
|
37.4 |
|
mJ |
Qbarra |
Importo recuperato |
V Barra =900V,I F =225A,
-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V T j =125o C
|
|
107 |
|
μC |
IRM |
Verso il picco inverso
Corrente di recupero
|
|
394 |
|
A |
Ericerca |
Ritorno al recupero Energia |
|
71.0 |
|
mJ |
Qbarra |
Importo recuperato |
V Barra =900V,I F =225A,
-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V T j =150o C
|
|
121 |
|
μC |
IRM |
Verso il picco inverso
Corrente di recupero
|
|
385 |
|
A |
Ericerca |
Ritorno al recupero Energia |
|
82.8 |
|
mJ |
NTC Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
UNITÀ |
Barra 25 |
Resistenza Nominale |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Deviazione di Barra 100 |
T C= 100 o C,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Potenza
Dissipazione
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
Valore B |
Barra 2=R 25esp [B 25/50(1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
Valore B |
Barra 2=R 25esp [B 25/80(1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
Valore B |
Barra 2=R 25esp [B 25/100(1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3433 |
|
K |
Modulo Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Min. |
Tipo. |
Max. |
UNITÀ |
LCE |
Induttanza di deflusso |
|
20 |
|
nH |
Barra CC+EE |
Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip |
|
1.10 |
|
mΩ |
Barra ilJC |
Connessione con il caso (per IGB) T)
Giunzione-a-Cassa (per Di odo)
|
|
|
0.098
0.158
|
C/W |
|
Barra thCH
|
Cassa-sink (per IGBT)
Cassa-sink (p) diodo)
Cassa-sink (per Modulo)
|
|
0.029
0.047
0.009
|
|
C/W |
M |
Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vattone M5 |
3.0
3.0
|
|
6.0
6.0
|
N.M |
G |
Peso di Modulo |
|
350 |
|
g |
EN
